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宜鼎发布全球首款Ultra Temperature极宽温DRAM模组 (2021.10.27)
近来全球记忆体市场话题不断，DRAM新品持续在容量、频宽及速度上力求突破；看似面面俱到，却始终不见耐受温度向上提升，使得严苛的高温应用情境备受挑战。为此，宜鼎国际正式推出全球首款「Ultra Temperature」极宽温DDR4记忆体模组 |
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TrendForce：第二季伺服器用记忆体供给仍有缺口，估价格涨幅逾10% (2017.04.18)
Trendforce记忆体储存研究（DRAMeXchange）最新研究显示，伺服器用记忆体供给持续吃紧，且仍有供给缺口未能完全满足需求。其中原厂对LTA（Long Term Agreement）伺服器制造商的平均出货达成率下滑至约八成，显示供给缺口仍有两成未能满足，甚至对其余中国与台湾ODM厂的出货达成率下滑至六成左右 |
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希捷强化RealStor储存阵列提升企业效能、资料中心弹性及灾难复原 (2015.12.22)
全球硬碟机与储存方案供应商希捷科技针对旗下AssuredSAN RealStor（RealStor）混合及全快闪阵列产品系列推出关键强化功能，协助OEM厂商提供客户更多高性价比的中阶企业级储存产品选择 |
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HGST推出10TB企业级硬盘 因应动态归档储存应用 (2015.06.15)
协助全球释放数据资料力量，企业储存领域厂商HGST（昱科环球储存科技）推出采用新一代动态归档应用的企业级10TB硬碟。主机管理型的Ultrastar Archive Ha10 SMR 硬碟，打破固有思维，创立业界新标杆，利用前所未有的总整体拥有成本（TCO）优势，创造出全世界密度最高的伺服器及储存系统 |
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凌力尔特八信道同步取样ADC 具备18位及弹性化效能 (2015.06.15)
凌力尔特（Linear）日前发表18位、8信道同步采样逐次渐进缓存器（SAR）ADC LTC2348-18，当以每信道200ksps的吞吐量转换八个信道时，每个SoftSpan输入可根据逐步转换（conversion-by-conversion）的基础独立配置，以接受+/-10.24V、0V至10.24V、+/- 5.12V或0V至5.12V的讯号 |
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宜鼎国际工控模块全新升级 推出高IOPS系列产品 (2015.05.27)
工控储存厂商宜鼎国际（Innodisk）新一代3ME3模块产品系列升级自3ME系列，采用先进控制器，及针对工业计算机应用所设计的韧体，搭配A19奈米制程的原厂高质量同步闪存，可让微型模块效能大幅提升 |
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Computex 2015─宜鼎国际展示完整应用于车联网储存解决方案 (2015.05.26)
宜鼎国际（Innodisk）于6月2日展开的Computex 2015展示旗下产品，将结合闪存（Flash）与易失存储器（ DRAM ）两大事业部最新产品，分别以Supermicro 1018R-WC0R搭载SeverDOM-V / SATADOM SH 3ME3,DDR4 32GB RDIMM 2400Mhz展示服务器应用、 主流系统平台搭载CFast 3ME3 / mSATA mini 3ME3,DDR4 8G ECC UDIMM展示网通应用、主流系统平台搭载2 |
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宜鼎国际发表工控应用DDR4易失存储器模块 (2015.03.19)
工控储存厂商宜鼎国际(Innodisk)发表全系列工控应用UDIMM/SODIMM/ECC 和UDIMM/SODIMM DDR4易失存储器模块（DRAM），符合JEDEC最新规范，满足工控业界各种需求，因应Intel即将于2015年中推出的工控应用主流主板Skylake，宜鼎国际全系列产品将协助客户轻松升级 |
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HGST与60East Technologies携手带动AMPS实现实时数据分析 (2015.01.27)
HGST FlashMAX PCIe固态硬盘能增加储存效能和容量，进而改善大数据分析速度，同时保留软硬件的既有投资。
HGST（昱科环球储存科技为Western Digital集团旗下子公司）宣布60East Technologies已认证 HGST FlashMAX II PCIe 固态硬盘（SSD）于 AMPS（进阶传讯处理系统） |
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宇瞻全面启动企业3.0升级计划 (2015.01.23)
宇瞻科技发布2015年企业营运展望，将启动企业3.0升级计划，期许带来突破性发展，再创佳绩。除专注数字储存本业发展，宇瞻科技未来将以扩大事业体系的经营模式，在2015年秉持3大发展策略全速冲刺- 产业策略结盟，携手深耕利基市场；聚焦开拓新兴市场，探索事业新蓝海；稳固人力扎根，建立完整企业人才供应链 |
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Microchip扩展四个串行式I/O SuperFlash系列推出低功耗内存 (2015.01.20)
Microchip（微芯科技）发布SST26WF080B 和 SST26WF040B新组件，扩展旗下1.8V四个串行式 I/O（SQI）SuperFlash内存家族。新组件备有4Mb及8Mb的储存容量，采用Microchip高性能SuperFlash技术制造，可提供最快的抹除时间和可靠性 |
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08年Q2全球内存销售 三星依旧称王 (2008.08.11)
外电消息报导，市场研究公司iSuppli日前表示，根据统计数据，今年第二季三星电子在全球内存市场上依旧表现抢眼，市场占有率已超过了30%，持续维持第一大内存厂的龙头地位 |
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IDT推出支持DDR3内存模块的低电压缓存器 (2008.07.25)
IDT(Integrated Device Technology)宣布推出第一个能够为高效能服务器和工作站提供标准与低电压作业支持的暂存频率驱动器(registered clock driver)。IDT DDR3缓存器的设计目的是为了协助降低服务器群集和数据中心的功耗与散热成本 |
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Linear发表一款12位连续渐进缓存器 (2008.05.07)
凌力尔特(Linear)发表一款12位连续渐进缓存器(SAR)ADC LTC2366，其能透过6及8接脚TSOT-23封装达到3Msps之数据输出率。LTC2366可操作于单一2.35V至3.6V供应范围，并于最大输出率时只耗7.2mW，相较于最接近的竞争产品，其可节省20%之功率 |
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TI发表新量产、具锁相回路的DDR3缓存器 (2008.04.28)
德州仪器(TI)发表量产、具有锁相回路(PLL)的DDR3缓存器，该组件为针对附带缓存器的双线内存模块 (RDIMMs)所设计，并且可透过固定的频率以及输出延迟来消除对电压与温度变化的影响，使系统更具稳定性 |
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整合系统 深化优势 (2007.12.03)
张敦凯总经理认为，未来视讯IC设计创业者的利基，在于深入掌握系统的整合程度，具体了解韧体及接口周边的系统发展趋势，培养对于韧体与系统周边了解深入的IC设计整合人才，并且结盟具有关键设计技术的新创业者，降低设计风险，才能事半功倍地设计出符合市场需求的IC解决方案 |
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直接记忆体存取的基础、结构与应用 (2007.07.11)
DMA移转设定有两种主要的类型：暂存器模式（Register Mode）以及描述符模式（Descriptor Mode）。以暂存器为基础的DMA包含有两个次模式（sub-mode）：自动缓冲模式（Auto-buffer Mode）以及停止模式（Stop Mode） |
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飞利浦DDR2内存模块搭配高速缓存器极速登场 (2005.01.24)
随着制程技术的不断演进，内存模块解决方案已经从较低速的单倍数据传输率(SDR)演变为较高速的双倍数据传输率(DDR)，此外，由于对精确的信号控制的要求，缓存器的使用也与日俱增 |
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TI开始供应逻辑缓存器零件 (2002.09.30)
德州仪器（TI）日前推出DDR-II逻辑缓存器SN74SSTU32864，可供厂商在DDR-II内存模块中进行评估。以SN74SSTU32857原型芯片的发展为基础，TI才能改善它的技术和设计经验，加快SN74SSTU32864发展速度，并获得较佳设计结果 |
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TI推出新版DIMM缓存器零件 (2002.09.04)
德州仪器（TI）日前推出SSTVF系列DIMM缓存器零件，这颗SN74SSTVF16857可以大幅提升DDR333速率的PC2700 DIMM内存模块工作效能。SN74SSTVF16857提供更好的信号完整性，传播延迟时间也获得大幅改善，比JEDEC标准SSTV16857还快500ps（同时开关），不但时间快速，内存系统也更强健可靠 |
