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開始時間﹕ |
七月五日(一) 09:00 |
結束時間﹕ |
七月五日(一) 16:00 |
主办单位﹕ |
財團法人自強工業科學基金會 |
活動地點﹕ |
台北市信义路三段153号3楼(大安捷运站斜对面) |
联 络 人 ﹕ |
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联络电话﹕ |
02-27075156#281 |
報名網頁﹕ |
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相关网址﹕ |
http://edu.tcfst.org.tw |
F35 动态随机存取内存(DRAM)材料课程目标: 建立对DRAM材料的基本概念及提升对DRAM材料的了解,应用和开发。修课条件: 大专以上理工科系毕,从事相关产业及有兴趣者。课程大纲: 1.Introduction of DRAM and Technology Trend 4.DRAM Applied Materials By Diffusion Processes 2.DRAM Applied Materials By CVD Processes3.DRAM Applied Materials By Metal Processes 5.DRAM Key Processes / Issues In FEOL6.DRAM Key Processes / Issues In BEOL ☆ 主办单位:财团法人自强工业科学基金会 ☆ 上课地点:台北市信义路三段153号3楼(大安捷运站斜对面) ☆ 费 用: 每门 $2500元(包含讲义、文具、午餐及营业税) ☆ 上课时间:每门皆为6小时,9:00-16:00
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