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快闪记忆体市场，竞争白热化 (2001.11.16)
闪存 (Flash)族群，力晶、茂硅预定年底投片试产，世界先进也预定明年第二季加入竞逐行列，华邦电及南亚科技也决定透过技术开发提升技术层次，则决定在近期导入0.15微米制程技术试产高密度闪存，拉大竞争者的差距
DRAM获利不如预期，业者积极转型 (2000.12.29)
内存制造公司积极开拓非内存的产品线，世界先进考虑与美商SST公司合作生产闪存；力晶半导体藉由投资力旺科技，强化闪存的设计能力；茂硅、华邦电明年则以液晶显示器 (TFT-LCD)驱动IC作为明年销售主力


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