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硅成4Mbit 静态随机存取内存进入量产阶段 (2001.11.15)
以高速异步静态随机存取内存的供货商硅成集成电路日前表示，自去年起开始积极发展的超低耗电SRAM系列。其中待命电流为2uA, 最低工作电压可达1.65V的4Mbit 静态随机存取内存(SRAM)已进入量产阶段
硅成跨足无线通信域、研发蓝芽基顿与射频芯片 (2001.01.16)
国内最大SRAM供货商硅成集成电路即将跨足无线通信领域，硅成表示，蓝芽基频（Baseba nd）与射频（RF）芯片今年均将就绪，基频并可于第二季送出样本﹔硅成并已着手开发无线以太局域网络芯片，预定明年推出
硅成领先推出8奈秒 4M及2M异步SRAM (2001.01.03)
硅成(ICSI)日前发表三款为目前市场上最快速-效能可达8奈秒的2M 及4M 的异步SRAM： IS61LV12816, IS61LV25616 及 IS61LV5128。这是硅成集成电路继去年第二季领先研发出8奈秒1M异步SRAM后，再度将内存容量成功地往上提升，推出具更高容量的8奈秒异步SRAM


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