 |
美高森美选择英特尔代工服务开发数字集成电路 (2013.05.09)
致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供货商美高森美公司宣布利用英特尔公司(纽约纳斯达克交易所代号：INTC)业界领先的onshore代工技术和使用英特尔革新性22 奈米 (nm) 3D、三闸(Tri-Gate)晶体管技术，开发先进的高性能数字集成电路(IC)和系统单芯片(SoC)解决方案 |
|
2012新趋势：技术非重点、重点在于想象力！ (2011.12.26)
随着2011年接近尾声，Intel对外发表了2012年科技最新展望。外界最关心的当然是22奈米(nm)Tri-Gate晶体管将于明年正式应用于各种产品领域，制造业将迈入2.0十代，在美国硅谷，『融合式』与『绿色』科技新创公司数量增加超过一倍，俨然可看出未来的趋势所在 |
|
5年1500万美元 工研院与Intel共推3D内存 (2011.12.06)
Intel今日（12/6）与工研院、经济部技术处共同宣布一项针对下世代内存技术的合作案，未来五年总投入金额共达一千五百万美元。这是Intel在Ultrabook以及行动装置的布局，工研院将提供 IC 架构及软件技术，目标是在五年内，将内存功耗节省至10倍、甚至百倍以上 |
|
采三闸极制程 Intel超级运算芯片明年现身 (2011.06.21)
英特尔在德国汉堡所举行的国际超级运算大会（ISC）上宣布，支持每秒百万兆次（exascale）的超级运算架构MIC，将在2012年正式进入市场化阶段，预计到2018年，支持平行运算的百万兆次超级计算机将可进一步普及，届时英特尔可望真正实现百万兆次运算等级 |
 |
掌握平板SoC四大关键！ (2011.06.09)
平板装置已成为今年全球电子产业众所瞩目的焦点，媒体平板和PC型平板之间的瑜亮情节也不断发酵。行动系统单芯片架构正是平板装置的重要核心。综观当前平板SoC发展，有四大关键必须密切注意，这四大关键将深刻影响着平板装置的未来样貌 |
|
我挺摩尔定律！ (2011.05.27)
台积电董事长张忠谋四月底一席「半导体摩尔定律将在6至8年到达极限」的言论，再次引发业界对于摩尔定律是否能够延续的讨论。身为全球最大半导体整合制造商，英特尔五月初正式对外公布可量产的立体三闸晶体管技术（3-D Tri-Gate transistors），这项技术自2002年开始发展，将是半导体产业能否继续按照摩尔定律往下走的重要依据 |
|
三闸极晶体管助威 英特尔直捣平板和智能机 (2011.05.12)
英特尔推出最新三闸极晶体管（Tri-Gate transistor）技术量产化，大大有益于直取媒体平板装置和智能型手机的战略高地。对于在这两大领域「喊水会结冻」的安谋（ARM）来说，绝对不是一个好消息，而ARM想要迂回渗透到英特尔老巢PC/NB的计划，也可能会受到一定程度的阻碍 |
|
Intel欲以22奈米ATOM夺回ARM拿走的失土 (2011.05.07)
Intel上周四（5/5）发表立体三闸晶体管技术，隔日ARM股价应声跌7.3％。从两造近来短锋相交的过程，不难看出Intel藉由此技术「放大绝」的企图，要让ATOM处理器在维持X86系统的效能优势下，摆脱过往吃资源巨兽的骂名，打入强调低功耗的便携设备市场 |
 |
英特尔22奈米的3D三栅极晶体管简报档-英特尔22奈米的3D三栅极晶体管简报档 (2011.05.06)
英特尔22奈米的3D三栅极晶体管简报档 |
|
我挺摩尔！立体晶体管22奈米处理器问世 (2011.05.05)
半导体产业能否继续按照摩尔定律往下走，Intel提出解答。Intel于今日（5/5）正式对外公布可量产的立体三闸晶体管技术（3-D Tri-Gate transistors）；并宣布这项技术的第一项应用产品，就是开发代号为Ivy Bridge的22奈米新平台处理器，空前地结合低功耗与高效能的优点 |
 |
海力士成功量产High-k MIM 三星积极研发High-k 50制程技术 (2006.11.23)
除海力士和三星外，全球最大半导体业者英特尔（Intel）亦在三闸极晶体管（Tri-Gate Transistor）上，采High-k技术；High-k为具有绝缘体电磁特性的高介电率物质（以常数k表现），简单来说，High-k系指具有把电荷聚在一起能力的物质，k值越高，拦截半导体配线间漏损电流的能力越好 |
