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讨论新闻主题﹕爱德万测试研发出用於记忆测试系统STT-MRAM的切换电流测量系统

新闻 提要
半导体测试设备供应商爱德万测试宣布其与日本东北大学创新整合电子系统中心〈CIES〉的合作，本计画由东北大学电机研究所教授远藤哲夫主持，成功地研发出高速、高精确度模组，可以测量磁性随机存取记忆体〈STT-MRAM〉中记忆束的切换电流，这是众所期待用於爱德万测试记忆测试系统的次世代记忆技术，运作速度为微安培/奈米秒。 由於这项科技的创新，使得观察STT-MRAM记忆单元每分钟通过电流变化成为可能，此外，由於运用新研发技术开发成功的此测试系统，也让STT-MRAM故障分析及STT-MRAM技术实务应用又向前跨出了一大步。这项测试科技除应用於STT-MRAM系统外，也可用於其他如ReRAM及PCRAM电阻改变类的记忆系统上

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