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网络研讨会宣传数据:满足高功率，高亮度LED的电性量测需求-网络研讨会宣传数据:满足高功率，高亮度LED的电性量测需求 (2011.11.18)
网络研讨会宣传数据:满足高功率，高亮度LED的电性量测需求 |
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恩智浦新推晶体管提升LDMOS基地台功率效能 (2008.05.19)
恩智浦半导体（NXP Semiconductors）推出BLC7G22L（S）-130基地台功率晶体管，这是恩智浦的第七代横向扩散金属氧化物半导体（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor；LDMOS）技术的产品，专为高功耗和Doherty放大器应用进行优化 |
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恩智浦半导体突破性提升LDMOS基地台功率效能 (2008.05.16)
恩智浦半导体(NXP Semiconductors)近日推出BLC7G22L（S）-130基地台功率晶体管，这是恩智浦应用第七代横向扩散金属氧化物半导体（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor；LDMOS）技术的首款产品，专为高功耗和Doherty放大器应用进行优化 |
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替代传统共振方式 (2005.12.05)
电源供应器增加功率密度的压力与日俱增，于是在这前提下产生了数个需求：改善半导体和被动组件的效益及创新架构，以便从全新半导体组件之功能中获得有利的好处。本文将探讨最近发展的高压超接合面功率MOSFET以及硅晶碳化物Schottky二极管，并比较采用硬式切换或共振方式在性能、系统成本和可靠度方面的优缺点 |
