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碳化矽迈入新时代 ST 25年研发突破技术挑战 (2021.07.30)
本文探讨碳化矽在当今半导体产业中所扮演的角色、碳化矽的研发历程，以及未来发展方向。以及意法半导体研发碳化矽25年如何克服技术挑战及创新技术的历程。
东芝研发出能使硅芯片发光的技术 (2009.02.25)
外电消息报导，东芝日前在国际奈米科技展（nano tech 2009）上，展示了一项在硅芯片上形成发光组件的技术。该技术能在4K的超低温状态下，发出约1.5μm的光波长。 据报导，这项技术东芝已在2008年的应用物理学会上发表过，日前又再次的进行展示
矽基发光的可能性 (2004.11.04)
若能利用发展成熟的矽半导体制程生产发光元件，将可为光电产业带来庞大利益，而此一领域技术也成为学界长期以来的研究目标；本文将介绍目前国内在量子点与超晶格上发光元件的研究成果，并分析其发光的机制，进一步提出矽基发光的可能发展
ST发光矽技术成功整合光学/电子功能 (2002.11.05)
根据外电消息，半导体商ST（意法半导体）近日宣布其发光矽（Light-emitting silicon）技术已有突破，并且表示此成果可将光学和电子功能整合于一块矽晶片上，使矽发光器的效率，首次达到砷化镓（GaAs）等材料的效果，预计今年底前开始提供该技术之工程样品


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