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新锗材料速度可比硅快10倍 (2013.04.11)
美国俄亥俄州立大学(OSU)的研究人员日前宣布开发出一种可制造厚度为一个原子的锗薄片技术，并表示其传导电子的速度要比硅快上10倍，比传统锗材料快5倍以上。 新材料的架构与备受瞩目的石墨烯──由二维材料构成的单一碳原子层很相似


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