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Vishay推出三款新型电磁干扰抑制薄膜电容器 (2008.09.30)
Vishay宣布推出三款最大电压可升至310 VAC的新型X2电磁干扰抑制（EMI）薄膜电容器，该电容器具有较宽的引脚脚距与电容质范围。
绝大部分标准电磁干扰抑制薄膜电容器的限定电压介于275至305VAC之间，而Vishay推出新型MKP 339 X2、MKP 338 2 X2与MKP 336 2 X2器件可为设计人员提供更高的限定电压，不但符合安全认证标准，且具有相同的小型尺寸 |
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Vishay扩展298D MicroTan产品系列 (2008.08.18)
Vishay Intertechnology, Inc.宣布已扩展其298D系列MicroTan固体钽芯片电容器，在模塑0402封装尺寸中提供业界最佳的额定电容电压值。
Vishay的298D MicroTan电容器充分利用已获专利的MAP（多数组封装）装配技术以扩展产品系列，现已可在面积为1.0mm×0.5mm、最大浓度为0.60mm的超薄小型0402 K封装中提供4.7μF-4V至10μF-4V的电容电压 |
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Sony投3.72亿美元提高锂电池产能 (2008.08.08)
外电消息报导，Sony日前表示，由于手机、数字相机以及其他消费性电子产品对锂电池的需求量大幅成长，因此该公司将投资3.72亿美元的经费，扩增锂电池的生产设备，以提高锂电池的生产能力 |
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Vishay扩展了140CRH系列SMD铝电容器功能 (2008.08.04)
Vishay Intertechnology, Inc.宣布已扩展了其140CRH系列表面贴装铝电容器的功能，从而可提供极高的电容值及纹波电流。
140CRH为具有非故态自恢复电解质的极化铝电解电容器，其非常适用于环境温度高达125°C的汽车及工业系统中的滤波、平滑、缓冲及电压退耦应用 |
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台湾电源IC设计厂商大步前进！ (2008.07.31)
整体而言，可携式产品的省能设计趋势，在于提高晶片效率、提升电压稳定度、加强系统整合这三大方向。细节来看，电源设计需兼顾低杂讯与低耗电、降低输出电压讯号被依暂停讯号关闭时，由调节器吸收的待机电流（Standby Current；Is）、降低输入输出电流差的静态电流（ Quiescent Current；Iq）、提高切换频率效能（Efficiency）等设计需求 |
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高分辨率照相手机LED闪光电源解决方案 (2008.07.25)
手机的整合应用越来越重要，为了提供某些高度复杂性的行动应用，也驱动了可短时间储存高电流而不造成电池超载，来供应高效能操作所必须之电力的电路需求。本文即以超级电容的设计应用，来解决LED闪光等峰值电源供应的问题 |
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行动装置低功耗设计的全面性策略 (2008.07.25)
从芯片的制程与材料，到系统的电路及供电架构，以及软件的智能性电压、频率控制，和处理器、内存的运算架构等，在在都影响多功能行动装置最终的功耗表现。要开发出低功耗的行动装置 |
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Vishay针对车用工业扩展表面贴装铝电容器尺寸 (2008.07.11)
日前，Vishay宣布已扩展其150CRZ系列表面贴装铝电容器的功能，使该系列器件能够提供低阻抗值、高电容与纹波电流，以及可实现高振动功能的4针脚版本。
150CRZ器件采用五种封装尺寸，以8mm×8mm×10mm，直至较大的12.5mm×12.5×16mm |
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Vishay推新型TR8系列模塑MicroTan钽芯片电容 (2008.05.15)
Vishay宣布推出新型TR8系列模塑MicroTan钽芯片电容，采用0805封装的该类电容具有0.8Ω超低ESR（在100 kHz和47 µF条件下），而采用0603封装的具有业内最低的1.5Ω ESR值。
由于具有超低ESR值，加上小型0603和0805封装，该产品可提高在音频过滤和信号处理应用中的效率，并且只需占用较小的PCB板面空间 |
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Vishay推出新型HE3液体钽高能电容器 (2007.07.10)
Vishay宣布推出在市场上所有类似器件中具有最高电容的新型液体钽高能电容器。HE3采用含SuperTan技术的独特封装设计，可在高能应用中提高可靠性及性能。
Vishay的HE3专门针对高可靠性航空电子及军用设备中的能量存储及脉冲功率应用而进行了优化，该器件采用密封的纯钽封装，可在高压力及恶劣环境中使用 |
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安森美半导体推出HighQ IPD制程技术 (2007.07.09)
安森美半导体（ON Semiconductor）宣布扩充先进制程技术，提供HighQ铜整合被动组件(IPD, Integrated Passive Device)制造服务，这个创新的八吋晶圆技术可以提供比较简单的硅铜技术更高的效能，但在成本上却比昂贵的超高效能砷化镓-金被动产品要低上许多 |
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Vishay推出新型T97系列固体钽电容器芯片 (2007.06.25)
Vishay宣布推出新型TANTAMOUNT Hi-Rel COTS T97系列固体钽电容器芯片，这些电容器可提供高可靠性筛选及浪涌电流测试选择，并且具有极低的ESR值。
这些新型T97电容器采用双阳极结构，以确保在同类器件中ESR值最低，这些组件主要面向安全性至关重要的应用，例如军事、航天及医疗行业中的应用 |
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国巨成功开发超高容值MLCC (2007.05.21)
被动组件厂商国巨公司研发技术大突破，成功开发X5R 1210 100μF（微法拉）高容值积层陶瓷电容（MLCC），为国内厂商首次以高温度稳定性材质成功研发的100μF高容MLCC，技术实力不仅大幅领先国内同业，同时晋升为全球高容MLCC主要供货商 |
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AnalogicTech发表第一款整合式超级电容充电IC (2007.05.21)
Advanced Analogic Technologies Incorporated（简称AnalogicTech），近日发表针对PC数据卡之高压端负载切换应用的P信道限流MOSFET电源开关AAT4620。此组件内建所有用以限流、保护PC卡连接器、连续充电电容、以及在系统就绪时提出通知的电路，并能达到一般用以平衡高脉冲电流之超级电容的快速充电，而不会逾越主机供电规格 |
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Vishay推出T95系列固体钽电容器芯片 (2006.08.27)
Vishay Intertechnology宣布推出新型TANTAMOUNT Hi-Rel COTS T95系列固体钽电容器芯片，这些电容器可提供高可靠性筛选及浪涌电流测试选择。这些新型T95电容器主要面向安全性至关重要的航空及军事应用 |
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高速网路传输与影音娱乐的未来趋势 (2006.08.07)
本刊于6月初顺应美国当地公关公司的邀请，参与由该公司所举办之亚洲媒体团，与中、日、韩、印、菲等亚洲媒体记者，实地造访矽谷八家科技公司，一探目前矽谷最新的科技取向，及其独步世界的优势所在 |
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Vishay推出新型TH3模塑芯片式固体钽电容器 (2006.07.31)
Vishay近日宣布推出新型TH3模塑芯片式固体钽电容器，在施加50%的降额电压时，这些电容器具有耐 150°C高温的高可靠性。
这些新型电容器专为各种高温汽车应用而进行了优化 |
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Vishay推出新型固体钽芯片电容器 (2006.06.22)
Vishay推出新型Hi-Rel COTS T83系列固体钽芯片电容器，这些电容器在五种不同尺寸的封装中具有高可靠性以及标准低ESR值选择；新型T83电容器面向各种航空及军用系统，例如雷达、飞弹及其它武器系统，并且具有在当前军用规范中还不可获得的电容/电压值，从而使设计人员能够减小现有装置的大小、重量，以及减少其组件数 |
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Linear发表可充任何容量电容的充电控制器 (2006.02.22)
Linear Technology Corporation日前发表一款专门设计以快速充电大电容至高达1,000V的返驰控制器LT3750。LT3750可驱动一个外部高电流N信道MOSFET，并能在少于300ms的时间内对一个100uF电容充电至300V，使其成为专业照相闪光灯系统、RF保全、库存控制系统及特定高压电源应用之理想选择 |
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Vishay 推出面向主端滤波缓冲器 (2006.02.13)
Vishay Intertechnology, Inc.推出面向主端滤波缓冲器且电容范围介于68μF～820μF的新系列铝电解电容器。这些电容器的容差为20%，在 +85°C时有效使用时间长达2,000小时。Vishay BCcomponents 093 PMG-SI系列电容器的额定电压为400V、420V 及 450V，工作温度范围介于-25°C～+85°C |
