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CTIMES / 低漏電流
科技
典故		 第一颗晶体管(Transistor)的由来

第二次世界大战末期，贝尔实验室开始一项研究计划，目标是研发出一种体积更小、功能更强大、更快速且可靠的装置来取代真空管。1947年12月23日，由贝尔实验室研发的晶体管取代了真空管，优点是体积更小、更可靠、且成本低廉，不仅孕育了今日遍及全球的电子半导体产业，同时也促成电讯计算机业、医学、太空探测等领域产生戏剧性的改变。
创意电子展示台积电16奈米低漏电流USB 3.1 PHY IP (2015.04.07)
弹性客制化IC厂商创意电子（GUC）发表采用台积电（TSMC）16奈米FinFET+制程的低漏电流USB 3.1 物理层IP（PHY IP）。此全新IP将于6月15日推出。 此16奈米USB 3.1 PHYIP通过硅验证，支持USB 2.0、3.0及3.1通讯协议，目前可用于USB Type-C接头，为针对数据传输及装置充电功能所设计，适合智能型手机，笔记本电脑和平板计算机等应用

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