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CTIMES / 中微
科技
典故		 第一颗晶体管(Transistor)的由来

第二次世界大战末期，贝尔实验室开始一项研究计划，目标是研发出一种体积更小、功能更强大、更快速且可靠的装置来取代真空管。1947年12月23日，由贝尔实验室研发的晶体管取代了真空管，优点是体积更小、更可靠、且成本低廉，不仅孕育了今日遍及全球的电子半导体产业，同时也促成电讯计算机业、医学、太空探测等领域产生戏剧性的改变。
中微发布第一代电感耦合等离子体蚀刻设备 提升7和5奈米产能 (2018.03.13)
中微半导体设备有限公司在本周举办的SEMICON China期间正式发布了第一代电感耦合等离子体蚀刻设备Primo nanova，用於大批量生产储存晶片和逻辑晶片的前道工序。该设备采用了中微专利的电感耦合等离子体蚀刻技术，将为7奈米、5奈米及更先进的半导体元件蚀刻应用提更好的制程加工能力，和更低的生产成本

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