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力晶五年內將再投資興建8座12吋廠 (2007.01.05) 力晶半導體對外證實,力晶本身在台灣至少還要再蓋四座十二吋廠,若加計瑞晶(與爾必達合資公司)在中科的四座十二吋廠,則五年內力晶與其夥伴共計興建八座十二吋廠,總投資金額高達9000億元,此舉非但擠下台積電成為台灣最大的十二吋廠投資者,更間接對政府宣示根留台灣的決心 |
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力晶2007年營收可望挑戰1500億 (2007.01.04) 力晶2006年12月營收達新台幣113.8億元,拉開與聯電間的差距,總計2006年營收約920億元。預計力晶在2007年製程持續微縮至70奈米的貢獻下,成長率至少達50%以上。預估若DRAM價格持穩,2007年營收則有機會挑戰1500億元 |
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Vista相關晶片為晶圓代工產能回溫關鍵 (2007.01.02) 由晶圓雙雄台積電、聯電的第一季接單情況來看,產能利用率的確仍在持續下滑中,除了高毛利的遊戲機相關訂單僅與去年第四季持平外,原本預期將回溫的通訊及手機晶片訂單 |
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XBOX360新製程訂單三月將回籠 (2006.12.26) 晶圓代工市場第四季旺季不旺,各家業者雖還沒對明年首季景氣作出預估,不過若由晶圓代工廠的大客戶對明年上半年景氣看法來推估,包括台積電、聯電、中芯、特許等四大廠,明年第一季產能利用率恐怕還有下滑疑慮 |
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獲利為重 三星調整晶圓廠產能 (2006.12.22) NAND Flash及DRAM製造商三星電子,由於考量其最佳獲利狀態,已決定將其最新晶圓廠Line15產能做出調配,據了解,該座晶圓廠原本預計投入DRAM及NAND型Flash各半產能,惟有鑑於2006年全球NAND型Flash價格持續下跌,因此產能將100%投入標準型DRAM |
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中芯成都8吋晶圓廠落成 佈局漸趨完整 (2006.12.21) 由於半導體產業景氣需求不振,兩岸晶圓代工產業競爭激烈,現階段殺價競爭的產線已經從先前的0.13微米,延伸到90奈米,而適逢競爭激烈之際,中國大陸晶圓代工龍頭中芯 |
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奇夢達將暫停生產NAND Flash (2006.12.18) 在NAND型快閃記憶體(Flash)市場上,先前已有瑞薩(Renesas)選擇暫時退出此一市場,而德國記憶體大廠奇夢達(Qimonda)近期也正式表示,待現有庫存出清至本季為止,將暫時不再生產NAND型Flash產品,等到往後推出自行開發且跟得上市場的NAND型Flash產品技術後,奇夢達將再視市場狀態重回到NAND型Flash領域 |
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聯電與AMD聯手合作55奈米製程 (2006.12.14) 自從美商超微(AMD)合併ATI之後,雖然先進製程研發仍以台積電為主,不過,超微為新加坡特許先進製程的大客戶,與台積電的利益互相矛盾,讓聯電得以趁虛而入,除了近日接獲超微80奈米晶片組RS690的訂單外,與聯電更著手展開55奈米製程研發合作 |
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力晶與爾必達合作打造最大12吋DRAM廠 (2006.12.11) 記憶體大廠力晶半導體與日商爾必達共同宣佈,將在台灣中部科學園區設立單月總產能可達24萬片的全球最大12吋晶圓廠區;同時,雙方也決定共同研發新世代製程技術。透過製造與研發的合作,力晶與爾必達聯盟企圖藉由整合台灣與日本的產業優勢,攜手爭取DRAM市場世界第一的寶座 |
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平面顯示器之背光電源設計培訓班 (2006.12.11) 在政府積極推動「兩兆雙星」產業下,平面顯示器已成為顯示器市場之主流,背光模組更是其中最關鍵的零組件,有鑑於此,本會特開授「平面顯示器之背光電源設計」,邀請有經驗之技術專家針對平面顯示器背光源之驅動電路設計,以深入淺出方式,提供更完整且有系統的實務設計課程及相關技術介紹 |
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力晶半導體中外記者會 (2006.12.07)
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今年全球半導體產業成長率預估達24% (2006.12.06) 根據北美半導體設備暨材料協會(SEMI)所公佈的資料指出,由於受惠於半導體產業景氣的復甦,今年全球半導體製造與封測設備的銷售金額將達406.4億美元,年成長率24%,到了明年進一步成長到421 |
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多晶矽晶圓供應商計劃再度調漲價格 (2006.12.01) 在DRAM及NAND快閃記憶體廠大量開出產能,及多晶矽(Polysilicon)依然缺貨情況下,包括MEMC在內的國際多晶矽晶圓供應商,仍計劃再度調漲價格,8吋矽晶圓合約價上漲5%至8%,12吋矽晶圓合約價則調漲5%左右 |
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半導體生產的群聚效應 (2006.11.27) 目前的半導體製造,不論是前段的晶圓製程或後段的封裝測試,都在台灣形成一個相當完整的生產供應鍊,而且在短期內,這樣的優勢不會受到其它地區的威脅或取代。當然 |
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65到45:半導體製程微細化技術再突破 (2006.11.27) 當半導體微細化製程從65奈米邁向45奈米、甚至晶片結構體尺寸將朝向32或是22奈米之際,我們將會面臨什麼未知的物理性質變化?為了追尋更微小體積、切割更多晶片的商業成本效益 |
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XFab、Jazz、Tower看中台灣市場尋找策略伙伴 (2006.11.16) 近年來台灣RF、類比晶片與CMOS感測器設計公司家數持續成長,成為XFab、Jazz、Tower等晶圓代工廠鎖定的客戶群。其中XFab去年買下馬來西亞的第一晶圓廠(First Silicon),明年將大幅移植類比、混合訊號製程外,Jazz半導體也將在明年尋找台灣的業者進行策略合作 |
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台積電計畫推動IP授權平台 (2006.11.07) 台積電法務長杜東佑(Richard Thurston)指出,台積電未來所要面對專利與營業秘密等兩大智慧財產權(IPR)的挑戰,將比過去20年都更為複雜,雖然台積電在美國擁有四千多項專利,但不會主張把IP當作武器,或是把IP鎖住,而是將之視為串連晶圓代工上下游供應鏈的增值工具,推動IP授權平台的作業 |
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受產能利用率降低拖累 中芯出現虧損 (2006.11.01) 依據中國晶圓代工廠中芯國際所公布的第三季財報顯示,受到平均單價(ASP)、產能利用率同步下滑的拖累,中芯業績由盈轉虧、第三季虧損了3510萬美元,較去年同期的虧損有持續擴大狀況,中芯總裁兼執行長張汝京表示,由於旺季需求浮現,客戶庫存第四季正在改善,未來幾季應可持續好轉 |
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DRAM廠出清庫存 DRAM價格持續下滑 (2006.10.30) 由於受到DRAM廠月底清庫存的壓力影響,10月中旬以來現貨價持續下滑,上週下半跌勢則加重,由於本週上旬DRAM廠仍有出貨壓力,預計現貨價走勢仍有下跌空間,價位應等到時序進入11月後,DRAM廠開始準備合約市場出貨,價格才有止跌空間 |
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晶圓製程營收下滑 台積電轉戰Flash市場 (2006.10.30) 台積電總執行長蔡力行認為,Flash的市場確實有相當大成長,明年如果順利,台積電不會放過任何機會跨入Flash領域。但他也明白指出,台積電對DRAM並沒有興趣。
外資認為,台積電跨入Flash市場,對其產能利用率屬正面,巴黎證券分析師陳慧明在會後出的短評指出,這將是台積電未來的焦點 |