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默克於韩国安城揭幕旋涂式介电材料应用中心 深化下一代晶片技术支持 (2024.10.24)
默克，正式宣布在韩国安城揭幕最先进的旋涂式介电材料（Spin-on-Dielectric, SOD）应用实验室。为因应半导体产业中人工智慧蓬勃发展的趋势，该应用中心将加速开发用於先进记忆体和逻辑晶片的SOD材料 |
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应材发表新晶片布线技术 实现AI更节能运算 (2024.07.09)
基於现今人工智慧（AI）时代需要更节能的运算，尤其是在晶片布线和堆叠方式对於效能和能耗至关重要。应用材料公司今（9）日於美国SEMICON WEST 2024展会，发表两项新材料工程创新技术，旨在将铜互联电网布线微缩到2奈米及以下的逻辑节点，以协助晶片制造商扩展到埃米时代，来提高电脑系统的每瓦效能 |
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imec展示单片式CFET功能元件 成功垂直堆叠金属接点 (2024.06.21)
於本周举行的2024年IEEE国际超大型积体电路技术研讨会（VLSI Symposium）上，比利时微电子研究中心（imec）首次展示了具备电性功能的CMOS互补式场效电晶体（CFET）元件，该元件包含采用垂直堆叠技术形成的底层与顶层源极／汲极金属接点（contact） |
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可程式光子晶片的未来动态 (2023.07.25)
光子晶片如果能根据不同的应用，透过重新设计程式来控制电路，那麽就能降低开发成本，缩短上市时间，还能强化永续性。 |
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Ansys於以整合电磁模拟 提供IoT及5G早期阶段天线设计 (2023.06.29)
Ansys在 Ansys Discovery 中扩展了前置模拟功能，包含天线的高频电磁 (Electromagnetics；EM) 建模。此次发布使研发团队能同时虚拟探索多个设计领域，进而减少实物原型制作和测试的需求，这有助於加速开发，减少成本，以及提升效能和效率 |
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imec观点：微影图形化技术的创新与挑战 (2023.05.15)
此篇访谈中，比利时微电子研究中心（imec）先进图形化制程与材料研究计画的高级研发SVP Steven Scheer以近期及长期发展的观点，聚焦图形化技术所面临的研发挑战与创新。 |
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TPCA发表台湾PCB低碳转型策略 揭示2050净零排放路径 (2023.03.31)
台湾电路板协会（TPCA）今（30）日假桃园市南方庄园同时举办第十一届第二次会员大会，与台湾PCB产业低碳转型策略发布会。包括桃园市长张善政、工业局??局长陈佩利、工研院协理胡竹生、中央大学??校长??振瀛、电电公会等产官学研代表皆亲临现场，与超过300位会员代表与产业先进，共同见证PCB产业永续里程碑 |
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探索埃米世代导线材料 金属化合物会击败铜吗？ (2023.01.19)
大约5年前，imec研究团队开始探索二元与三元化合物作为未来金属导线材料的可能性，藉此取代金属铜。他们设计一套独特方法，为评估各种潜在的替代材料提供指引。 |
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掌握铁电记忆体升级关键 imec展示最新介面氧化技术 (2022.12.06)
於本周举行的2022年IEEE国际电子会议（IEDM）上，比利时微电子研究中心（imec）展示了一款掺杂镧（La）元素的氧化????（HZO）电容器，成功取得1011次循环操作与更隹的电滞曲线（电场为1.8MV/cm时，残留极化值达到30μC/cm2），并减缓了唤醒效应 |
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异质整合晶片囹 宜特推出材料接合应力分析解决方案 (2022.08.11)
随着不同材料在同一晶片封装的异质整合成为市场热门议题，宜特与安东帕(Anton Paar)公司合作推出「材料接合应力强度」分析解决方案，可量测Underfill材料流变特性、异质整合材料间的附着能力与结合强度并计算3D封装矽通孔(TSV)中铜的力学特性 |
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宜特推出材料接合应力强度分析解决方案 助力异质整合研发 (2022.08.10)
随着不同材料在同一晶片封装的异质整合成为市场热门议题，宜特今10日宣布，与合作夥伴安东帕（Anton Paar）公司推出「材料接合应力强度」分析解决方案，可量测Underfill材料流变特性、异质整合材料间的附着能力与结合强度并计算3D封装矽通孔（TSV）中铜的力学特性 |
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非铜金属半镶嵌制程 实现窄间距双层结构互连 (2022.08.05)
imec展示全球首次实验示范采用18nm导线间距的双金属层半镶嵌模组，强调窄间距自对准通孔的重要性，同时分析并公开该模组的关键性能叁数，包含通孔与导线的电阻与可靠度 |
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应材发表新款Endura Ioniq PVD系统 解决2D微缩布线电阻问题 (2022.05.30)
因应当前晶片厂商正在运用微影技术将晶片缩小至3奈米和以下节点，但是导线越细，电阻便会以倍数增加，导致晶片效能降低，并增加耗电量。若放任布线电阻的问题不管，先进电晶体的优势可能会荡然无存 |
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评比奈米片、叉型片与CFET架构 (2022.04.21)
imec将於本文回顾奈米片电晶体的早期发展历程，并展??其新世代架构，包含叉型片（forksheet）与互补式场效电晶体（CFET）。 |
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宜特IC电路修补能力 突破5奈米制程 (2021.07.06)
宜特今(7/6)宣布，其IC晶片FIB电路修补技术达5奈米(nm)制程。这是从2018年首度完成7奈米(nm)制程的样品后，再次挑战更先进制程的电路修补，并成功的完成挑战，协助客户进行晶片性能优化，加速产品上市 |
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逻辑元件制程技术蓝图概览（上） (2020.11.10)
爱美科CMOS元件技术研究计画主持人Naoto Horguchi、奈米导线研究计画主持人Zsolt Tokei汇整各自的领域专长，将于本文一同呈现先进制程技术的发展蓝图。 |
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默克完成并购 新特用材料事业体组织正式启动 (2020.06.04)
科学与科技公司默克顺利将旗下特用材料事业体整并Versum与Intermolecular公司，并正式启动合并後的新组织。为达到最隹综效，默克将原本的「半导体科技事业」分为「半导体材料事业」(Semiconductor Materials)与「电子材料供应系统与服务」（Delivery Systems & Services）两个专门的事业单位 |
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筑波首推TeraSense太赫兹工业应用成像系统 (2020.02.27)
筑波科技於日前举办的太赫兹(Terahertz；THz)工业应用研讨会，邀请了TeraSense技术专家Ivan Andreev博士，远从俄罗斯来台分享太赫兹影像(Terahertz Image)测试应用的议题，获得在场贵宾们的热烈交流与讨论 |
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3D FeFET角逐记忆体市场 (2019.11.25)
爱美科技术总监Jan Van Houdt解释FeFET运作机制，以及预测这项令人振奋的「新选手」会怎样融入下一代记忆体的发展蓝图。 |
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5G高频的PCB设计新思维 (2019.09.11)
5G技术所需的较高频率，为PCB制造带来了重大挑战。而电子装置不断缩小的外观尺寸，也使得挑战更加严峻。 PCB必须符合更高标准的效能和品质，以确保5G通讯不中断。 |
