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ST新款SPI接口串行式EEPROM 采用SO8窄封装 (2007.08.03)
串行式非挥发性内存IC厂商意法半导体（ST），宣布推出一款新的1-Mbit串行式EEPROM，M95M01支持SPI（串行式周边接口）总线并采用宽度仅为150-mil（3.8mm）的微型SO8N封装──目前市场上第一个SPI串行式EEPROM将如此高容量的内存挤进在如此小的封装内 |
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Spansion推出用于手机的闪存解决方案 (2007.01.23)
闪存解决方案供货商Spansion发表一款65奈米MirrorBit ORNAND解决方案样品，为高阶多媒体手机中的数据储存提供优化的解决方案。此解决方案由Spansion位于德州奥斯汀的旗舰厂Fab25制造 |
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XPM—非挥发性内存的新前端技术 (2006.11.22)
Kilopass的Super Permanent Memory 或XPM 技术的建构是使用标准、商业上通用的CMOS 逻辑制程技术、已完成芯片之实际验证，可提供一高密度传输、高效能及高可信度的可现场编程嵌入式NVM 解决方案 |
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联华电子与美商Impinj合作推出0.18及0.13微米制程的逻辑非挥发性内存核心 (2006.11.22)
几个大型的高成长半导体市场，例如显示器驱动器，电源管理控制器，射频芯片，以及安全介质应用产品等，由于这些市场需要新产品特性与功能，因此带动了对于低位数(bit-count)嵌入式非挥发性内存的市场需求 |
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应变工程在非挥发性内存中的应用 (2006.11.22)
应变工程一直在整个工业界中得到技术人员的广泛采用，以避开晶体管的等比缩小极限和提高90nm和65nm逻辑技术的量产表现。通过引入膜应力高达～3 Gpa的氧化物、氮化物和SiGe，表明技术上已经取得了重大进展 |
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奇梦达正式公开发行股票 每股13美元 (2006.08.10)
英飞凌科技(Infineon Technologies AG)和奇梦达(Qimonda AG)公司与主办承办商，今天在纽约共同确定奇梦达公司首次公开发行(IPO)的价格及发行规模。首次公开发行的价格为每股美国存托股票(American Depository Share, ADS)13美元，每股ADS对应一股奇梦达普通股 |
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SanDisk任吴家荣先生为驻港亚太区总经理 (2006.03.06)
全球闪存厂商SanDisk公司宣布吴家荣先生 (Gavin Wu) 于 2005 年 12 月获委任为 SanDisk 公司驻港亚太区总经理，负责透过零售分销和 OEM 管道，将 SanDisk 的记忆卡、USB 储存产品 (Cruzer 品牌) 和 MP3 机 (Sansa 品牌) 业务拓展至公司业务增长最快的亚太地区 |
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ST发表高性能128Mbit串行闪存组件 (2006.03.02)
ST发表了全新的128Mbit串行闪存组件M25P128，主要瞄准需要高性能、低成本程序代码储存方案的广泛计算机及消费性应用。新的128Mbit组件扩充了ST现有从512Kbit到64Mbit的程序代码储存产品线，同时是市场上首先达到此一储存密度的闪存组件 |
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英特尔积极扩产以夺回Flash第一大厂宝座 (2004.06.07)
据外电报导，英特尔为夺回全球闪存（Flash）第一大厂宝座，已于2月份开始积极进行扩产动作，计划在2004年将Flash产能提升3倍，并在2006年进一步提升产能10倍以上。而英特尔计划中的扩充产能动作，包括扩充晶圆厂设备以及推出90奈米制程Flash产品 |
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年底需求旺 闪存合约价持续上扬 (2003.12.02)
据南韩中央日报报导，MP3、随身碟、数字相机等产品因年底旺季而需求大增，关键零组件闪存价格亦因供不应求而持续上扬，512M NAND型闪存合约价已从第二季的10美元上升至第四季的13美元 |
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市调机构预期Flash产值5年内超越DRAM (2003.12.01)
据经济日报报导，由于内存业者南韩三星、海力士（Hynix）、力晶等2004年将大举调拨产能在数据存取型闪存（Data Flash），大幅减少DRAM供给，预计该缺口将逾5％，而市调机构预期，未来五年Data Flash的复合成长率将超越DRAM，产值达150亿美元规模 |
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Renesas将委托力晶代工生产闪存 (2003.11.19)
日本半导体大厂日立与三菱合资之瑞萨半导体（Renesas）日前宣布将应用于数字相机和移动电话的1Gb闪存芯片，委托台湾力晶半导体代工，以提高产量；瑞萨表示，力晶将于2004年4～9月开始量产高容量的AND型闪存 |
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东芝计划增加资本支出以提升Flash与传感器产能 (2003.10.14)
据日本产经新闻报导，为迎合目前消费性电子市场包括数字相机、可照相手机等产品对内存之需求，东芝计划追加设备以提升NAND型闪存（Flash）及CMOS影像传感器的产能。
该报导指出，东芝预定将2003年度半导体设备投资预算自1180亿日圆增加到1300亿日圆，追加投资额幅度约为10％ |
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2003下半年闪存市况将转佳 (2003.07.21)
根据市调机构iSuppli最新报告指出，由于2003年上半亚洲爆发SARS疫情、美伊战争、以及全球经济持续不景气等几项负面因素综合影响，使得2003上半年全球闪存（Flash）出货不如预期，但自2003下半年负面因素均已消失，整体闪存市场，可望有表现转佳 |
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全球Flash市场竞争激烈业者各擅胜场 (2003.06.10)
据市调机构iSuppli公布的最新报告，全球快闪记忆体市场（Flash）的竞争日益剧烈，虽然前两大供应商英特尔（Intel）及三星（Samsung）的排名不变，在NOR型与NAND型领域各擅胜场，但市占率均有减少的趋势 |
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Flash严重供过于求？ 业者纷提出反驳 (2003.05.14)
据Digitimes报导，尽管之前有市场分析师预期NAND型快闪记忆体（Flash）将因产能过剩而一路跌价至2004，然记忆体业者却认为，此价格下滑现象反将刺激NAND型Flash需求逆向攀升 |
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全球Flash市场规模2004年可望增至180亿美元 (2003.03.18)
根据日经Eletronics的统计资料指出，2003年全球快闪记忆体（Flash）市场在手机与数位电视（DTV）等产品需求增加的带动下，将可达到140亿美元的规模，紧追在DRAM的150亿美元之后；该机构并预估2004年快闪记忆体市场规模可望增至180亿美元，正式超越DRAM |
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手机、DVD需求回温 Flash合约价止跌 (2003.03.03)
据日本经济新闻报导，NOR型快闪记忆体（Flash）合约价在2002年由年初的500日圆下滑至年底的355日圆后，今年在全球手机、DVD播放机（DVD Player）需求支撑下，终于开始止跌 |
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iSuppli预测快闪记忆体今年可成长9％ (2003.02.25)
据外电报导，由于PC出货量成长与消费性电子产品之推动，2003年快闪记忆体（Flash）出货量成长率预估可达9％；但NAND型Flash每百万位元组的价格将下跌50～60％。
网站Silicon Strategies引用市调机构iSuppli的预测指出，2003年全球PC出货量年成长率，将由先前预估的13 |
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快闪记忆体市场2003年可望成长13.6％ (2003.01.16)
据工研院经资中心（IEK）的调查预测，连续两年呈现衰退的快闪记忆体（Flash）市场，今年可望因行动电话及数位相机产品快速成长，而出现13.6％的成长，市场规模达92亿美元 |
