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纽约大学理工学院和法国CEA-Leti合作开发12寸晶圆磁性记忆体元件 (2024.06.25)
纽约州立大学理工学院(NYCREATES)和法国电子暨资讯技术实验室(CEA-Leti)，宣布建立战略研发夥伴关系，初期将聚焦於用於储存电脑数据的磁性记忆体元件的研发，并将在300mm晶圆上进行生产 |
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工研院与台积电合作开发SOT-MRAM 降百倍功耗抢高速运算商机 (2024.01.17)
面对现今人工智慧（AI）、5G构成的AIoT时代来临，包括自驾车、精准医疗诊断、卫星影像辨识等应用须快速处理大量资料，要求更快、更稳、功耗更低的新世代记忆体成为各家大厂研发重点 |
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ROHM推出SOT-223-3小型封装600V耐压Super Junction MOSFET (2023.12.12)
近年来随着照明用小型电源和泵浦用马达的性能提升，对於在应用中发挥开关作用的MOSFET小型化产品需求渐增。半导体制造商ROHM推出采用SOT-223-3小型封装（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐压Super Junction MOSFET「R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4 / R6002JND4 / R6003JND4」，适用於照明用小型电源、空调、泵浦和马达等应用 |
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Littelfuse新款800V N沟道耗尽型MOSFET采用改进型SOT-223-2L封装 (2023.10.17)
Littelfuse公司推出一款800V、100mA、45欧姆小功率N沟道耗尽型MOSFET新品CPC3981Z。
与标准SOT-223封装相比，这款新产品的SOT-223-2L封装移除中间引脚，将漏极与闸极之间的引脚间距，从1.386毫米增加到超过4毫米间距增加简化宽输入电压电源的隔离管理，实现精巧的印刷电路板布局 |
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B5G━全面智慧互联(2023.5第378 (2023.05.02)
B5G（Beyond 5G）是指5G之後的下一代通信技术，
B5G具备更高的智能化水平，支持智能路由和自我优化等技术，
实现更高效、更可靠和更稳定的网路。
B5G的发展将为未来的智慧化、互联化、数位化应用，
提供更快速、更广泛、更可靠、更安全的通信支持 |
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创新SOT-MRAM架构 提升新一代底层快取密度 (2023.04.17)
要将自旋轨道力矩磁阻式随机存取记忆体（SOT-MRAM）用来作为底层快取（LLC），目前面临了三项挑战；imec在2022年IEEE国际电子会议（IEDM）上提出一套创新的SOT-MRAM架构，能够一次解决这些挑战 |
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贸泽提供广泛英飞凌产品组合 持续扩大其最新解决方案范围 (2023.02.17)
贸泽电子（Mouser Electronics）为英飞凌的全球原厂授权代理商，供应各种英飞凌解决方案。从2008年起，贸泽持续扩大来自该制造商的最新解决方案范围，并不断加入新产品 |
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贸泽供应英飞凌通用型MOSFET 满足电源转换和管理应用 (2022.11.30)
贸泽电子（Mouser Electronics）供应多款英飞凌通用型MOSFET。对於正在寻找MOSFET以求满足专案、定价或物流要求的设计人员，英飞凌提供广泛的高电压和低电压MOSFET产品组合，能为各种应用提供弹性、价值和调整能力 |
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TI：提高功率密度 有效管理系统散热问题 (2022.10.21)
几??各种应用的半导体数量都在加倍增加，电子工程师面临的许多设计挑战都与更高功率密度的需求息息相关。
·超大规模资料中心：机架式伺服器使用大量的电力，这对於想要因应持续成长需求的公用事业公司和电力工程师构成一大挑战 |
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经济部发表最新研发成果 领先三星推出最快磁性记忆体 (2022.09.14)
经济部技术处SEMICON Taiwan科技专案成果主题馆於今（14）日在「2022 SEMICON Taiwan」台北南港展览馆一馆四楼N0662摊位正式登场！共展出33项创新技术！首先最吸睛的技术，是由工研院携手多家台湾大厂，完成世界最快的SOT-MRAM阵列晶片，达成0.4奈秒高速写入、7兆次读写的高耐受度，效能领先南韩大厂20% |
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工业储存技术再进化！ (2022.08.26)
近年来，半导体先进制程微缩趋势带动下，加上AI人工智慧、5G与AIoT等科技加速推进，3C设备、智慧家电、智慧汽车、智慧城市到国防航太等领域都可以应用大量晶片记录海量数据 |
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前瞻磁性记忆体技术突破 工研院与产学界合作在VLSI发表研发成果 (2022.06.15)
随着人工智慧（AI）、5G与AIoT等科技加速发展，工研院累积深厚的前瞻记忆体研发能量，工研院在今（15）日宣布，除了与晶圆制造龙头台积电合作开发前瞻的自旋轨道扭矩磁性记忆体（Spin Orbit Torque Magnetoresistive Random Access Memory；SOT-MRAM）阵列晶片 |
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为台湾嵌入式记忆体技术奠基 国研院发表SOT-MRAM研发平台 (2021.11.09)
国研院半导体中心，今日举行次世代嵌入式记忆体技术，「自旋轨道力矩式磁性记忆体（SOT-MRAM）」研究成果发表会。该记忆体采用垂直异向性的结构，不仅电耗更低、体积更小，同时读写的速度也更快，能够整合至高性能的逻辑IC之中，进一步实现下世代的处理器晶片 |
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「2021电源管理与电力设计研讨会」特别报导 (2021.10.27)
爱德克斯：高整合电驱系统当道 电机与电池模拟测试是关键
电动车产业正如火如荼的发展，包含台湾在内，各国政府也透过法令与补贴政策，全力推动电动车市场的成形 |
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Microchip发表高精度参考电压(Vref) IC 为汽车应用提供极低的漂移 (2021.10.11)
用于汽车和工业应用的扩展级温度范围的参考电压IC需要低漂移、高可靠性和高效能。 Microchip Technology Inc.宣布推出一款高精度参考电压（Vref）IC，以高性价比满足这些需求 |
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Microchip高精度参考电压(Vref) IC为汽车应用的温度范围提供极低漂移 (2021.10.08)
在汽车和工业应用领域的扩展级温度范围的参考电压IC，需要低漂移、高可靠性和高效能。 Microchip推出一款高精度参考电压（Vref）IC，以高性价比满足这些需求。新元件的加入使Vref产品阵容更佳完整，并提供高可靠性和AEC-Q100认证 |
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Microchip为高温车载应用提供精确和节能的电流监测解决方案 (2021.02.18)
随着自动化和联网功能在整个汽车和工业市场日益普及，在高频杂讯环境下精确测量动态电流的需求常常困扰着现代汽车和工厂应用。为应对电子杂讯环境并满足更高精度的电流测量需求，Microchip Technology Inc.今日推出符合AEC-Q100 Grade 0 认证标准、具有业界最低偏移(offset)电压的上端电流检测放大器 |
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ROHM推出1cm2超小型车电MOSFET 满足设备高密度需求 (2020.10.08)
近年来，随着汽车电子化加速，汽车电子和半导体元件数量也呈现增加趋势。因此，必须要在有限的空间里安装更多元件，使安装密度也能够越来越高。例如，1个车电ECU中的半导体和积层陶瓷电容的平均使用数量，预计将从2019年的186个，增加约三成至2025年的230个 |
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英飞凌推出BCR431U LED驱动IC 低压降提供低电流LED更多设计弹性 (2020.06.10)
英飞凌科技推出一款恒定电流的线性LED驱动IC BCR431U，能在调节LED电流时提供较低的电压降。该产品为新一代BCR系列的第二款产品，具有低压降特性，针对最高37mA的电流所设计 |
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英飞凌推出具备 TDI且超高功率密度的超小型闸极驱动器IC (2020.04.20)
每当 SMPS 内的功率 MOSFET 导通或关闭时，寄生电感会产生地准位浮动，可能造成闸极驱动 IC 的误触发。为避免这样的结果，英飞凌科技旗下具成本效益且尺寸精巧的 EiceDRIVER 1 EDN TDI (真差分输入) 1 通道闸极驱动器系列新推出一款装置 |
