<
账号：
密码：

讨论新闻主题﹕瑞萨新款功率半导体装置 可缩小60%安装面积

新闻 提要
瑞萨电子近日发表全新R2J20751NP功率半导体装置之开发。此装置可做为个人计算机、服务器及打印机内DDR类型SDRAM（Synchronous DRAM）内存及大型逻辑设备（如FPGA）之专属电源供应器。R2J20751NP为同类产品（POL转换器）中第一款具备最大25A额定电流，且在单一封装中整合MOSFET（金属氧化层半导体场效晶体管）及电源供应控制器的产品，可让系统设计师实现尺寸更小且更具能源效率的电源供应系统。 R2J20751NP之主要特色： (1)安装面积较瑞萨电子现有产品缩小约60% R2J20751NP最大额定电流25A的版本尺寸仅6 mm x 6mm，安装面积较瑞萨电子现有产品缩小约60%，其中使用一对功率MOSFET做为功率转换，并使用一个电源供应控制器（含芯片内建驱动器之PWM控制IC）提供驱动器控制功能

发表新主题
主题：
文章内容：
  确认码:  
  一般讨论区
一般讨论区
新闻报导论坛
Aktive besked forum
专栏评析
零組件科技論壇
產業新品中心
  應用論壇區
文章论述论坛
软件应用论坛
产品应用论坛
Microchip數位電源討論區─贏取大獎
  技术应用区
电子技术类：
计算机科技类：
网际科技类：
軟體資源類：
 
刊登廣告 ｜ 新聞信箱 ｜ 读者信箱 ｜ 著作權聲明 ｜ 隱私權聲明 ｜ 本站介紹
︱ Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29号11楼 / 电话 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw