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讨论新闻主题﹕东芝推出驱动中高电流IGBT/MOSFT光耦合器

新闻 提要
东芝电子元件及储存装置株式会社（东芝）推出一款驱动中高电流绝缘栅双极型电晶体（IGBT）和MOSFET的预驱动光耦器TLP5231，其适用於工业逆变器和光伏（PV）的功率调节系统。此预驱动光耦内置多种功能，其中包括通过监控集电极电压实现过流检测。产品於今日起开始出货。 新型预驱动光耦使用外部P沟道和N沟道互补的MOSFET作为缓冲器，来控制中高电流IGBT和MOSFET。 目前现有产品[2]需要使用双极型电晶体构成的缓冲电路来实现电流放大，这会在工作中消耗基极电流。新产品能够使用外部互补MOSFET缓冲器，仅在缓冲器MOSFET的栅极充电或放电时消耗电流，有助於降低功耗

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