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TI新款车用GaN FET 提供高电源效率且密度加倍 (2020.11.11)
德州仪器（TI）拓展其高压电源管理产品组合，推出适用於汽车及工业应用的650-V 及 600-V 氮化??场效电晶体（GaN FET），整合快速开关的 2.2-MHz 闸极驱动器，相较於既有解决方案，其能协助工程师实现电源密度加倍、效率高达99%，且电磁尺寸缩小59% |
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TI最新车用GaN FET 整合驱动器、保护功能与主动式电源管理 (2020.11.11)
德州仪器（TI）近日拓展其高压电源管理产品组合，推出适用於汽车及工业应用的650V及600V氮化??场效电晶体（GaN FET），整合快速开关的2.2MHz闸极驱动器，相较於既有解决方案，其能协助工程师实现电源密度加倍、效率高达99%，且电磁尺寸缩小59% |
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力推5G！恩智浦全新氮化??晶圆厂年底产能将满载 (2020.10.12)
恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.）宣布正式启用其位於美国亚利桑那州钱德勒（Chandler）的150毫米（6寸）射频氮化??（Gallium Nitride；GaN）晶圆厂，此为美国境内专注於5G射频功率放大器的最先进晶圆厂 |
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英飞凌推出行动基地台发射器专用的氮化镓装置 (2015.10.02)
【德国慕尼黑讯】英飞凌科技（Infineon）推出碳化矽（SiC）射频功率电晶体的氮化镓（GaN）系列产品。凭借英飞凌的氮化镓技术，该款新产品可协助行动基地台的制造商打造体积更小、功能更强大，且具弹性的发射器 |
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英飞凌与Panasonic为常关型600V氮化镓功率半导体建立双供应源 (2015.03.17)
英飞凌科技（Infineon）与 Panasonic公司宣布双方将共同开发以 Panasonic 常关型（强化模式）硅基板氮化镓晶体管结构为基础的氮化镓 (GaN) 产品，并整合至英飞凌的表面黏着装置（SMD）封装 |
