 |
IR新款FastIRFET双功率MOSFET采用4×5 PQFN功率模块封装 (2014.12.17)
国际整流器公司（International Rectifier；IR）推出采用高效能4×5 PQFN功率模块封装的IRFH4257D FastIRFET 双功率MOSFET。此项新的封装选择使IR的功率模块产品系列效能得以延伸至更低功率的设计 |
|
Linear双组同步降压控制器提供DDR电源方案 (2011.12.21)
凌力尔特（Linear）日前发表高效率、双组输出同步降压DC/DC控制器LTC3876。此组件能针对DDR1/DDR2/DDR3及未来标准内存应用提供VDDQ供应电压、VTT总线终端电压及VTTR参考电压。
第一个信道之输出可提供VDDQ，并可于25A设定于2.5V至低如1V |
|
Linear发表双组输出同步降压DC/DC控制器 (2011.12.19)
凌力尔特（Linear）近日发表，高效率、双组输出同步降压DC/DC控制器LTC3876。此组件能针对DDR1/DDR2/DDR3及未来标准内存应用提供VDDQ供应电压、VTT总线终端电压及VTTR参考电压 |
|
TI模块化DSC开发工具包加速设计数字电源与控制 (2008.06.10)
德州仪器（TI）宣布推出五套针对特定应用的开发工具包，适用于TMS320F28x数字讯号控制器（DSC）。这个模块化套件可迅速建立各种设计的原型，包括DSC通讯基础设备、可交换式处理器卡模块或控制卡的工业及商业应用、可存取装置讯号的开发电路板实验套件，以及针对特定应用的DC/DC与AC/DC数字电源开发工具包 |
 |
IR新型同步降压转换器芯片组 体积较SO-8封装小40% (2005.08.08)
功率半导体及管理方案领导厂商-国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)推出一款新型的20V DirectFET MOSFET同步降压转换器芯片组。IR表示，这对IRF6610和IRF6636小型罐式DirectFET MOSFET，性能可媲美一对SO-8 MOSFET，但体积却减少了40%，最适用于对尺寸、效率和热性能有重大要求的高频负载点(Point-of-load，简称POL)设计 |
|
TI发表多相位同步降压转换控制器 (2003.11.12)
德州仪器（TI）日前推出多颗多相位同步降压转换控制器，支持40 A至120 A输出电流，为大电流电源供应设计人员提供良好的弹性及电路保护能力。这颗PWM单芯片控制器提供必要的控制和监测功能，适合支持低电压、大电流的负载点电源供应设计 |
