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群联提供UFS 3.0矽智财授权 因应异质整合需求 (2017.09.06)
全球快闪记忆体控制晶片解决方案厂商群联电子发表最新世代UFS (Universal Flash Storage) 3.0规格设计，技术布局一举超前各国际一线大厂， 在日前全球大展2017 FMS上崭露头角，成为智慧终端国际厂商争相合作对象，然而，除了终端应用客户之外，为符合半导体业内晶片设计业者异质整合需求，群联电子今(6)日正式宣布，提供UFS 3 |
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Tektronix推出LPDDR4物理层测试解决方案 (2014.10.31)
太克科技（Tektronix）日前推出首款适用于下一代行动内存技术JEDEC LPDDR4的完整物理层和兼容性测试解决方案。自2015年起将开始采用LPDDR4，而LPDDR4是建立在LPDDR3技术上，提供高达4 |
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RAMBUS推出行动XDR内存架构 (2010.02.10)
Rambus宣布推出新一代行动产品适用的行动XDR内存架构。乃延续Rambus去年所发表的行动内存技术，能够提供高带宽且低功耗的内存架构，进而使装置的功耗与效能充分满足新一代行动产品的需求 |
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QuickLogic宣布采用美光科技的行动内存技术 (2009.04.22)
QuickLogic宣布采用美光科技(Micron)的CellularRAM行动内存技术，以作为其最新ArcticLink II VX4 解决方案平台之画面缓存器。透过CellularRAM画面缓存器，ArcticLink II VX 系列让设计者可运用较低成本的显示器，而不需于显示器内建缓存器 |
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RAMBUS推出新一代行动内存技术 (2009.02.09)
高速内存架构技术授权公司Rambus发表其创新行动内存（Mobile Memory Initiative）技术。这项技术开发计划聚焦于高带宽、低功耗的内存技术，目标为在同等级最佳能源效率下，达到4.3 Gbps的数据传输率 |
