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ST导入Stackforce wM-Bus协定堆叠 扩展STM32WL无线MCU生态系统 (2020.07.31)
半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics；ST）和授权合作夥伴Stackforce共同推出一个无线智慧电表系统M-Bus（wM-Bus）汇流排软体堆叠。利用STM32WL微控制器整合的sub-GHz射频模组和其所支援之多种方案，该通讯协定堆叠可以透过无线远端收集量表数据，为智慧电表系统开发商节省物料成本，并提升设计灵活性 |
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万高芯科技Sub-GHz无线通讯平台获Wi-SUN联盟认证 (2017.11.29)
台湾新创IC 设计公司万高芯科技今天宣布，其首款无线Sub-GHz无线通讯平台 VC7000系列通过了Wi-SUN联盟PHY认证。
Wi-SUN联盟PHY认证包括：基於IEEE 802.15.4g规范的PHY一致性测试；基於IEEE 802.15.4g规范的PHY，用於智慧公用事业网路系统，与来自多个晶片供应商的互通性测试 |
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IR新款FastIRFET双功率MOSFET采用4×5 PQFN功率模块封装 (2014.12.17)
国际整流器公司（International Rectifier；IR）推出采用高效能4×5 PQFN功率模块封装的IRFH4257D FastIRFET 双功率MOSFET。此项新的封装选择使IR的功率模块产品系列效能得以延伸至更低功率的设计 |
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快捷半导体荣获Top-10电源产品奖 (2012.10.23)
快捷半导体公司(Fairchild Semiconductor)宣布，该公司在中国大陆的电子产业媒体《今日电子》(Electronic Products China)与21ic举办的Top-10电源产品奖中，荣获「最佳开发奖」。
快捷半导体凭着FDPC8011S 25V双功率芯片非对称N信道模块 获得这一奖项 |
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Fairchild 3.3x3.3mm2 Power Clip非对称双MOSFET (2012.05.16)
快捷半导体公司(Fairchild) 日前推出一款25V、3.3x3.3mm2低侧高双功率芯片非对称N信道模块 FDPC8011S，协助设计人员应付这一系统挑战。
FDPC8011S专为开关频率更高的应用而开发，在一个采用全Clip封装内整合1.4mΩ SyncFETTM 技术和一个5.4mΩ控制MOSFET、低质量因子的N信道MOSFET，有助于减少同步降压应用中的电容数量，同时缩小电感尺寸 |
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用于802.11n MIMO系统之双矽锗功率放大器耦合效应 (2007.04.19)
由于无线资料传输需求急遽增加，新一代的IEEE 802.11n规格草案采用MIMO技术，希望将多路功率放大器整合在同一块晶片上。然而，在大讯号操作下，功率放大器之间的讯号耦合效应尚未被验证，讯号干扰过大将使得原先之线性度条件更加恶化 |
