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英特尔加速制程与封装创新 驱动领导力产品路线 (2021.07.28)
英特尔首次详尽揭露其制程与封装技术的最新路线规划，并宣布一系列基础创新，为2025年及其之后的产品注入动力。除了首次发表全新电晶体架构RibbonFET外，尚有称作PowerVia之业界首款背部供电的方案 |
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3D FeFET角逐记忆体市场 (2019.11.25)
爱美科技术总监Jan Van Houdt解释FeFET运作机制，以及预测这项令人振奋的「新选手」会怎样融入下一代记忆体的发展蓝图。 |
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益华计算机与GLOBALFOUNDRIES发表28 奈米超低功率制程ARM Cortex-A12处理器芯片设计定案 (2014.03.17)
益华计算机(Cadence Design Systems Inc.)于2014年美国硅谷举办的CDNLive大会中，与格罗方德 (GLOBALFOUNDRIES)共同宣布，已经将具备ARM Cortex-A12处理器的四核心测试芯片设计定案。以高达2 |
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ARM与联华扩大28奈米IP合作 锁定平价行动与消费性应用 (2014.01.14)
IP硅智财授权厂商ARM与晶圆专工大厂联华电子今（14）宣布扩大合作协议，将提供ARM Artisan实体IP与POP IP供联电28HLP制程使用。
针对锁定智能手机、平板、无线与数字家庭等各式消费性应用的客户，联华电子与ARM将透过本协议，提供先进制程技术与全方位实体IP平台 |
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2013行动装置芯片处理器大汇串 (2013.01.15)
一年一度的CES 2013消费者电子展已完美落幕，各家厂商无不奋力展示自家极具创新的技术与产品。可以预见的是，2013绝对还是行动装置设备的大时代，连一向统治PC领域多年的Intel，也不得不对臣服于这波『行动装置势力』狂潮 |
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三星14nm制程技术 Tape Out完成 (2012.12.23)
即使三星电子最近被采用Exynos系列处理器之行动装置产品疑似存在着安全漏洞问题搞的乌烟瘴气，但在迈向14奈米制程技术之路一样没有任何懈怠。继格罗方德半导体以及英特尔后，三星也向外界宣布采用14奈米制程技术之行动芯片测试成功，该行动芯片不管是针对动态功耗以及漏电率方面皆有明显改善 |
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GLOBALFOUNDRIES 硅芯片验证 28nm AMS 生产设计 (2012.06.18)
GLOBALFOUNDRIES 日前拟利用高介电常数金属闸极 (High-k Metal Gate, HKMG) 展示其 28nm 超低功率 (SLP) 技术的强化硅芯片验证设计流程。透过最新的设计自动化技术，该设计流程为进阶模拟／混合讯号 (AMS) 设计提供了全面可靠的支持 |
