 |
高压分离式功率元件HV Si-MOSFET应用效能 (2023.08.01)
本文重点介绍Littelfuse提供2 kV以上的高压分离式功率元件HV Si-MOSFET。 |
|
隔离式封装的优势 (2023.02.09)
本文说明高功率半导体的先进封装有效提升效率及效益的技术与列举应用范例。 |
 |
贺利氏电子推出预敷焊料陶瓷覆铜基板 (2017.06.28)
预敷焊料陶瓷覆铜（DCB+）基板可减少50%晶片焊接工序
近日，贺利氏电子（Heraeus）推出了全新的预敷焊料陶瓷覆铜（DCB+）基板，它是DCB+基板的全新补充与服务组合的重要组成部分，可将晶片焊接工序减少50% |
|
英飞凌新款IGBT模组以62 mm封装提供更高的功率密度 (2017.03.22)
【德国慕尼黑讯】英飞凌科技(Infineon)扩展旗下62 mm IGBT模组阵容。全新电源模组能在尺寸不变下，满足对更高功率密度日益增加的需求。业经验证的62 mm封装中采用较大的晶片区域及调整过的DCB基板，以实现更高的功率密度 |
 |
英飞凌新款双极性功率模块采用焊接技术 (2014.11.28)
英飞凌科技（Infineon）发表新款双极型功率模块，经由采用焊接技术可以解决针对成本效益特别要求的应用。藉由推出此款全新的PowerBlock模块，英飞凌扩充了原已相当完整，但目前均采用压接方式的功率模块产品组合 |
|
Infineon推出全新.XT技术 大幅延长IGBT模块的使用年限 (2010.05.12)
英飞凌（Infineon）日前在德国纽伦堡举办的PCIM Europe 2010展场（2010年5月4-6日），推出了创新 IGBT 内部封装技术，能大幅延长IGBT模块的使用年限。全新的.XT技术实现IGBT模块内所有内部接合的优化，以延长产品寿命 |
