 |
Micron以90奈米2-Gbit组件进军NAND flash市场 (2004.07.07)
根据Silicon Strategies日前报导指出，Micron Technology计划在今年底前推出NAND flash内存产品，首批产品将以2-Gbit NAND内存为主，并将被置入记忆卡与其他大量储存应用产品中，产品最初采用90奈米制程技术，往后将慢慢进展到72奈米与58奈米制程 |
|
英特尔积极扩产以夺回Flash第一大厂宝座 (2004.06.07)
据外电报导，英特尔为夺回全球闪存（Flash）第一大厂宝座，已于2月份开始积极进行扩产动作，计划在2004年将Flash产能提升3倍，并在2006年进一步提升产能10倍以上。而英特尔计划中的扩充产能动作，包括扩充晶圆厂设备以及推出90奈米制程Flash产品 |
 |
由NOR Flash大厂发展看台湾厂商决胜机会 (2004.04.05)
多媒体影音的高阶手机获得广大消费者的青睐之后，逐渐敲开高阶手机市场大门。各厂商无不奋力研发绝佳的手机产品，随着手机出货量的持续上扬，Nor Flash的产量也随之水长船高 |
|
iSuppli公布2003年全球20大半导体厂商排名 (2004.03.15)
市调机构iSuppli日前公布2003年全球前20大半导体厂商排名，前三名由英特尔（Intel）、三星（Samsung）、瑞萨（Renesas）夺得；该机构综合200家半导体厂商回复的数据分析显示，2003年全球半导体产业营收成长幅度为14.2％，且全球将近16％的半导体供货商2003年营收成长幅度更超过50％ |
|
FASL计划进军NAND型Flash市场 (2004.01.08)
据日本工业新闻报导，由日本富士通与超威（AMD）合资成立的NOR型闪存（Flash）业者FASL日前表示，该公司有意跨足NAND型闪存市场，并预定在2004年中推出相关产品，与三星、东芝等主力厂商分庭抗礼 |
 |
以自动化精准生产提升产品效能与良率 (2004.01.07)
半导体产业在进入微利化时代之后，由于产能的大幅扩张，能够大量生产的厂商不见得会是市场赢家，能够兼顾产品的效能提升与良率，才能维持竞争利于不坠，AMD在专注于技术发展的同时，也对产品的生产流程订定了一套良好的管理规则，进而同时将产品质量与获利能力再提升 |
|
以自动化精准生产提升产品效能与良率 (2004.01.05)
半导体产业在进入微利化时代之后，由于产能的大幅扩张，能够大量生产的厂商不见得会是市场赢家，能够兼顾产品的效能提升与良率，才能维持竞争利于不坠，AMD在专注于技术发展的同时，也对产品的生产流程订定了一套良好的管理规则，进而同时将产品品质与获利能力再提升 |
|
谁是Flash龙头? 三星与英特尔分庭抗礼 (2003.11.25)
市调机构iSuppli公布2003年第三季全球闪存（Flash）供货商排名，南韩三星（Samsung）取代英特尔（Intel）成为全球最大供货商；但随后另一市调机构Semico Research公布相同的调查却显示，英特尔仍是最大Flash业者；对此Semico认为，NAND及NOR闪存不应加总计算，英特尔及三星分别应该是NOR及NAND型闪存最大供货商 |
|
AMD第三季营收达9.54亿美元 (2003.10.22)
AMD日前表示，该公司截至2003年9月28日止的当季营收为9.54亿美元，净损为3100万美元。每股净损为0.09美元。第3季营运结果包含FASL LLC的经营成绩，而FASL LLC是于2003年6月30日创立，AMD与Fujitsu各拥有该公司60%与40%的股权 |
|
超威购并Coatue 冀望非挥发性内存领域 (2003.08.11)
根据SBN网站报导指出，处理器大厂超威（AMD）购并非挥发性内存（non-volatile）厂商Coatue，并纳入超威与日厂富士通（Fujutsu）的合资企业FASL LLC旗下部门，由于英特尔（Intel）在非挥发性内存市场进展不如预期顺利，超威藉由结合Coatue的专长，拟超前英特尔一步 |
|
AMD与FUJITSU合资创立FASL公司 (2003.07.16)
美商超威半导体(AMD)与Fujitsu日前宣布合资创立新闪存半导体公司，将以Spansion全球产品品牌为营销解决方案。新成立的FASL公司是结合AMD与Fujitsu的闪存事业部门。此间合资企业是现今全球规模最大的闪存公司，其总资产的价值约为30亿美元，有近7000位员工 |
|
AMD与Fujitsu共同成立FASL LLC (2003.04.02)
美商超微半导体(AMD)与富士通有限公司(Fujitsu)日前宣布双方已共同成立一家新的快闪记忆体公司─FASL LLC，双方并签订了一份备忘录(MOU)。 FASL LLC总部将设于美国加州辛尼维尔，并也会另外在东京设立日本总部 |
|
富士通与超微合并Flash事业计画已敲定 (2003.04.02)
自1993年起即合作生产快闪记忆体（Flash）的富士通与超微（AMD），已敲定合并快闪记忆体事业的计画；未来双方合作范围将扩及研发、生产、行销等各方面。而此一美日半导体大厂联手成立的新公司，可望跃升为快闪记忆体市场第二大厂 |
|
AMD与富士通共同成立快闪记忆体公司 (2003.04.01)
美商超微半导体(AMD)与富士通公司(Fujitsu)1日宣布双方已就成立一家新的快闪记忆体公司签订了一份备忘录(MOU)。新公司的注册名称为FASL LLC，总部将设于美国加州辛尼维尔，而该公司也会另外在东京设立日本总部 |
|
AMD新合资经营闪存芯片厂大幅提高0.17微米闪存的产量 (2001.11.15)
美商超威半导体(AMD)宣布该公司新建的合资经营闪存厂已开始供应采用0.17微米制程技术制造的先进闪存产品。新的制程技术一方面可减低产品成本及功率消耗，而另一方面又可提高相关之应用方案的效能 |
|
景气反转下12吋晶圆厂建厂计画 (2001.01.01)
台湾业界跨入12吋厂最积极，自然以两大龙头台积电、联电为首。联电和日立合资的Trecenti，是全球第一家12吋的量产晶圆厂，原计划在2001年初开始量产，后提前在11月底产出全球第一片量产的12吋晶圆 |
|
2001年Flash市场展望 (2000.12.01)
参考数据： |
