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ROHM 650V耐压GaN HEMT新增小型、高散热TOLL封装 (2025.02.13)
半导体制造商ROHM（总公司：日本京都市）已将TOLL（TO-LeadLess）封装的650V耐压GaN HEMT*1「GNP2070TD-Z」投入量产。TOLL封装不仅体积小，散热性能出色，还具有优异的电流容量和开关特性，因此在工业设备、车载设备以及需要支援大功率的应用领域被陆续采用 |
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电动车、5G、新能源：宽能隙元件大显身手 (2025.02.10)
随着运算需求不断地提高，新兴能源也同步崛起，传统矽基半导体材料逐渐逼近其物理极限，而宽能隙半导体材料以其优越的性能，渐渐走入主流的电子系统设计之中。 |
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高功率元件的创新封装与热管理技术 (2025.02.10)
随着高密度封装和热管理技术的进步，我们将看到更高效、更可靠的高功率元件应用於各不同产业，推动技术的持续演进。在这个挑战与机遇并存的时代，持续的研发投入与技术创新将成为决胜关键 |
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高功率元件加速驱动电气化未来：产业趋势与挑战 (2025.02.10)
高功率元件将成为实现全球电气化未来的重要推动力。
产业需共同应对供应链挑战、降低成本并提升技术创新速度。
最终助力实现更高效、更环保的全球能源管理体系 |
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工研院与台达开发SiC模组 抢攻高功率电子市场 (2025.02.08)
基於现今电动车为了符合低碳永续趋势及续航力，兼顾在高压、高温下稳定运行，使得具备高功率密度的宽能隙化合物半导体（Wide-bandgap Semiconductor；WBG），成为该领域深受关注的元件材料 |
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CT2502 (2025.02.04)
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丰田合成GaN基板技术获突破 功率元件性能大幅提升 (2025.01.08)
丰田合成株式会社近日宣布，其提升氮化??(GaN)基板性能的技术已获得验证，能有效改善功率元件性能。相关研究成果已发表於国际固态物理学期刊。
更优异的功率元件在电力调节方面扮演关键角色，对於减少社会碳排放至关重要 |
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Intel Foundry透过使用减材?? 提升电晶体容量达25% (2024.12.24)
英特尔晶圆代工（Intel Foundry）在2024年IEEE国际电子元件会议（IEDM）上公布了新的突破。包括展示了有助於改善晶片内互连的新材料，透过使用减材??（subtractive Ruthenium）提升电晶体容量达25% |
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Bourns 推出符合 AEC-Q200 标准 车规级高隔离驰返式变压器系列 (2024.12.24)
美商柏恩 Bourns，全新推出符合 AEC-Q200 标准车规级 HVMA03F40C-ST10S 驰返式变压器。该系列专为在紧凑尺寸中实现高功率密度与更高效率而设计，以因应当今汽车、工业以及能源储存设计对於功率密度的不断增长需求 |
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ROHM与台积公司在车载氮化??功率元件领域建立战略合作夥伴关系 (2024.12.10)
半导体制造商ROHM（总公司：日本京都市）宣布与Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited （以下简称 台积公司）在车载氮化??功率元件的开发和量产事宜建立战略合作夥伴关系 |
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半导体业界持续革命性创新 有助於实现兆级电晶体时代微缩需求 (2024.12.09)
随着人工智慧（AI）应用迅速崛起，从生成式AI到自动驾驶和边缘运算，对半导体晶片的需求也随之激增。这些应用要求更高效能、更低功耗以及更高的设计灵活性。尤其在2030年实现单晶片容纳1兆个电晶体的目标下，半导体产业面临着重大挑战：电晶体和晶片内互连的持续微缩、材料创新以突破传统设计的限制，以及先进封装技术的提升 |
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贸泽电子、ADI和Bourns合作出版全新电子书 探索电力电子装置基於GaN的优势 (2024.12.03)
贸泽电子（Mouser Electronics）与ADI和Bourns合作出版最新的电子书，探索氮化??（GaN）技术在追求效率、效能和永续性的过程中所面对的挑战和优势所在。
《10 Experts Discuss Gallium Nitride Technology》（10位专家谈论氮化??技术）探讨GaN技术如何彻底改变电力电子技术，达到比矽更高的效率、更快的开关速度和更大的功率密度 |
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筑波举办化合物半导体与矽光子技术研讨会 引领智慧制造未来 (2024.11.15)
筑波科技（ACE Solution）携手美商泰瑞达（Teradyne）近日举办年度压轴「化合物半导体与矽光子技术研讨会」。本次活动由国立阳明交通大学、中原大学电子工程学系共同主办，打造产官学交流平台 |
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贸泽与ADI合作全新电子书探索电子设计电源效率与耐用性 (2024.11.13)
贸泽电子（Mouser Electronics）与美商亚德诺（ADI）合作出版全新的电子书，重点介绍最隹化电源系统的基本策略。在《Powering the Future: Advanced Power Solutions for Efficiency and Robustness》（为未来提供动力：实现效率和耐用性的进阶电源解决方案）中，ADI和贸泽的主题专家针对电源系统中最重要的元件、架构和应用提供深入分析 |
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SiC MOSFET：意法半导体克服产业挑战的颠覆性技术 (2024.11.11)
意法半导体中国及APeC车用SiC产品部门经理Gaetano Pignataro分享了他对碳化矽（SiC）市场的观点、行业面临的挑战以及ST应对不断增长需求的策略。 |
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ROHM叁展2024慕尼黑电子展以E-Mobility、车用和工控为展示主轴 (2024.11.06)
现今电子系统的需求日益成长，尤其是在永续经营和急需创新的市场方面，先进技术将成为助力。半导体制造商ROHM将於11月12日至15日叁加在德国慕尼黑举办的2024慕尼黑电子展（electronica 2024），展示提高车用和工控中功率密度、效率和可靠性的先进功率和类比技术，并进行技术交流合作 |
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Power Integrations推1700V氮化??切换开关IC (2024.11.05)
Power Integrations推出其 InnoMux-2 系列的单级、独立稳压多路输出离线式电源供应器 IC 的新成员。新装置采用了业界首款透过该公司专有 PowiGaN 技术制造的 1700 V 氮化??切换开关 |
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国科会新增10项核心关键技术 强化太空、量子、半导体领域保护 (2024.11.03)
为强化国家核心关键技术保护，避免国家安全、产业竞争力及经济发展受损，国科会预告修正「国家核心关键技术项目及其技术主管机关」草案，新增10项太空、量子科技、半导体及能源领域之关键技术，预告期至11月15日止 |
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Nexperia的AC/DC反激式控制器可实现更高功率密度 (2024.10.29)
控制器可提高电源效率并降低待机功耗
Nexperia推出一系列新AC/DC反激式控制器，扩展电源IC产品组合。NEX806/8xx和NEX8180x专为基於GaN的反激式转换器而设计，用於PD(Power Delivery)快速充电器、适配器、壁式??座、条形??座、工业电源和辅助电源等设备及其他需要高功率密度的AC/DC转换应用 |
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Bourns全新薄型高爬电距离隔离变压器适用於闸极驱动和高压电池管理系统 (2024.10.27)
美商柏恩Bourns推出新款符合AEC-Q200标准的车规级薄型、高爬电距离隔离变压器。Bourns HVMA03F4A-LP8S系列驰返变压器专为提供高功率密度设计，实现更高效能且具备紧凑的外形尺寸，适用於闸极驱动器和高压电池管理系统(BMS)等多项应用场合， |
