账号:
密码:
鯧뎅꿥ꆱ藥 6
CGD与Qorvo合作开发马达控制应用的GaN叁考设计及评估套件 (2024.06.07)
无晶圆厂洁净技术半导体Cambridge GaN Devices(CGD)致力於开发氮化??(GaN)器件,近日与全球连接和电源解决方案供应商Qorvo合作开发 GaN 在马达控制应用中的叁考设计和评估套件(EVK)
CGD与工研院合作开发氮化??电源 (2024.05.31)
无晶圆厂洁净技术半导体公司Cambridge GaN Devices(CGD)与工业技术研究院(ITRI)签署合作备忘录,以巩固双方在开发高性能氮化??USB-PD适配器的合作夥伴关系。 CGD致力於开发多种节能的氮化??(GaN)器件,以实现更环保的电子元件
CGD、群光电能与剑桥大学技术服务部共组GaN生态系统 (2023.11.06)
英商剑桥氮化??元件有限公司(Cambridge GaN Devices;CGD)是一家专注於研发高效能氮化??(GaN)功率元件的半导体公司,致力於打造更环保的电子元件。近日与台湾的电力电子系统整合方案供应商群光电能(Chicony Power Technology)、英国剑桥大学技术服务部(CUTS)签署一项三方协议
CGD的GaN单晶片 获台积电欧洲创新区最隹展示奖 (2023.10.15)
Cambridge GaN Devices (CGD)日前宣布,其 ICeGaN GaN HEMT系统单晶片 (SoC) 在台积电( TSMC) 2023 年欧洲技术研讨会创新区荣获「最隹展示」奖。 CGD是一家无晶圆厂洁净技术半导体公司,专门开发多种节能GaN型功率装置,旨在实现更环保的电子元件
CGD推出ICeGaN 650 V氮化??HEMT系列产品 (2023.05.12)
Cambridge GaN Devices(CGD)今日宣布推出第二代的 ICeGaN 650 V氮化?? HEMT 系列产品,提供领先业界的耐用性、易於使用及最高效率等特色。H2 系列 ICeGaN HEMT 采用 CGD 的智慧闸极介面,几??消除一般 E 模式 GaN 的各种弱点,大幅加强过电压耐用性、提供更高的抗杂讯??值,以及提升 dV/dt 抑制和 ESD 保护效果
CGD ICeGaN产品技术经维吉尼亚理工大学研究获验证 (2023.04.10)
无晶圆厂无尘技术半导体公司Cambridge GaN Devices(CGD)使用氮化?? (GaN)开发出多款高能效功率装置,协助打造出更为环保的电子产品;CGD 宣布由学术研究机构维吉尼亚理工大学进行的独立第三方研究表现,CGD 的 ICeGaN氮化??技术较其他氮化??平台更具可靠性及坚固性


  跥Ꞥ菧ꢗ雦뮗
1 Bourns全新薄型高爬电距离隔离变压器适用於闸极驱动和高压电池管理系统
2 Basler全新小型高速线扫描相机适合主流应用
3 意法半导体整合化高压功率级评估板 让马达驱动器更小且性能更强
4 Pilz多功能工业电脑IndustrialPI适用於自动化及传动技术
5 宜鼎推出DDR5 6400记忆体,具备同级最大64GB容量及全新CKD元件,助力生成式AI应用稳定扎根
6 SCIVAX与Shin-Etsu Chemical联合开发全球最小的3D感测光源装置
7 SKF与DMG MORI合作开发SKF INSIGHT超精密轴承系统
8 瑞萨与英特尔合作为新款Intel Core Ultra 200V系列处理器提供最隹化电源管理
9 宜鼎E1.S固态硬碟因应边缘伺服器应用 补足边缘AI市场断层
10 意法半导体新款750W马达驱动叁考板适用於家用和工业设备

AD

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29号11楼 / 电话 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw