|
CGD与Qorvo合作开发马达控制应用的GaN叁考设计及评估套件 (2024.06.07) 无晶圆厂洁净技术半导体Cambridge GaN Devices(CGD)致力於开发氮化??(GaN)器件,近日与全球连接和电源解决方案供应商Qorvo合作开发 GaN 在马达控制应用中的叁考设计和评估套件(EVK) |
|
CGD与工研院合作开发氮化??电源 (2024.05.31) 无晶圆厂洁净技术半导体公司Cambridge GaN Devices(CGD)与工业技术研究院(ITRI)签署合作备忘录,以巩固双方在开发高性能氮化??USB-PD适配器的合作夥伴关系。
CGD致力於开发多种节能的氮化??(GaN)器件,以实现更环保的电子元件 |
|
CGD、群光电能与剑桥大学技术服务部共组GaN生态系统 (2023.11.06) 英商剑桥氮化??元件有限公司(Cambridge GaN Devices;CGD)是一家专注於研发高效能氮化??(GaN)功率元件的半导体公司,致力於打造更环保的电子元件。近日与台湾的电力电子系统整合方案供应商群光电能(Chicony Power Technology)、英国剑桥大学技术服务部(CUTS)签署一项三方协议 |
|
CGD的GaN单晶片 获台积电欧洲创新区最隹展示奖 (2023.10.15) Cambridge GaN Devices (CGD)日前宣布,其 ICeGaN GaN HEMT系统单晶片 (SoC) 在台积电( TSMC) 2023 年欧洲技术研讨会创新区荣获「最隹展示」奖。
CGD是一家无晶圆厂洁净技术半导体公司,专门开发多种节能GaN型功率装置,旨在实现更环保的电子元件 |
|
CGD推出ICeGaN 650 V氮化??HEMT系列产品 (2023.05.12) Cambridge GaN Devices(CGD)今日宣布推出第二代的 ICeGaN 650 V氮化?? HEMT 系列产品,提供领先业界的耐用性、易於使用及最高效率等特色。H2 系列 ICeGaN HEMT 采用 CGD 的智慧闸极介面,几??消除一般 E 模式 GaN 的各种弱点,大幅加强过电压耐用性、提供更高的抗杂讯??值,以及提升 dV/dt 抑制和 ESD 保护效果 |
|
CGD ICeGaN产品技术经维吉尼亚理工大学研究获验证 (2023.04.10) 无晶圆厂无尘技术半导体公司Cambridge GaN Devices(CGD)使用氮化?? (GaN)开发出多款高能效功率装置,协助打造出更为环保的电子产品;CGD 宣布由学术研究机构维吉尼亚理工大学进行的独立第三方研究表现,CGD 的 ICeGaN氮化??技术较其他氮化??平台更具可靠性及坚固性 |