|
瑞萨科技与Grandis合作发展自旋转移的65nm MRAM (2005.12.06) 瑞萨科技与Grandis, Inc.同意共同合作发展采用自旋转移写入技术的65nm处理MRAM(磁性随机内存)。瑞萨科技将在不久的未来,开始出货采用65 nm 制程 STT-RAMTM 的微控制器和SoC产品 |
|
日立环球储存科技以百年技术发展20-GB微型硬盘 (2005.04.06) 日立环球储存科技公司(Hitachi GST)宣布革新逾百年的磁性录写技术,将为容量庞大的硬盘例如20GBMicrodrive微型硬盘或1TB 3.5吋硬盘的出现做好准备工作。
为达成这方面的技术突破,日立环球储存科技展出备有每平方英吋230Gb(Gb/in2)的垂直录写,这也是目前业界最高数据密度 |
|
工研院电子所与台积电携手研发MRAM技术 (2005.01.06) 工研院电子所与晶圆代工大厂台积电宣布签订「MRAM合作发展计划」,双方将延续过去三年在MRAM技术研发上的合作,进一步朝新一代的MRAM技术推进,以赶上IBM、摩托罗拉及三星电子等国际大厂的脚步 |
|
抢占PROMISE REV超值优惠,就在12月信息展 (2004.11.22) 为让消费者可以近距离体验PROMISE REV分离式硬盘技术所带来的极速便利,乔鼎信息将在12月4日至12日信息月展览期间,于世贸一馆志旭国际摊位(C626-628;C725-727)实机展示,并提供超值优惠供民众现场抢购 |