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意法半导体与Soitec携手开发SiC基板制造技术 (2022.12.08)
意法半导体（STMicroelectronics，ST）与半导体材料设计制造公司Soitec宣布下一阶段的碳化矽（Silicon Carbide，SiC）基板合作计画，意法半导体准备於18个月内完成Soitec碳化矽基板技术产前认证测试 |
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Cambridge GaN Devices 融资扩大功率半导体装置市场 (2022.11.22)
无晶圆厂半导体公司Cambridge GaN Devices（CGD），於2016年从英国剑桥大学工程系着名的功率装置集团分割出来，已募集1900万美元的Series B资金。此投资案由Parkwalk Advisors和BGF领投，另有IQ Capital、CIC、Foresight Williams Technology 和 Martlet Capital 跟投 |
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TI：提高功率密度 有效管理系统散热问题 (2022.10.21)
几??各种应用的半导体数量都在加倍增加，电子工程师面临的许多设计挑战都与更高功率密度的需求息息相关。
·超大规模资料中心：机架式伺服器使用大量的电力，这对於想要因应持续成长需求的公用事业公司和电力工程师构成一大挑战 |
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意法半导体将於义大利兴建整合式碳化矽基板制造厂 (2022.10.06)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）将於义大利兴建一座整合式碳化矽（Silicon Carbide；SiC）基板制造厂，以支援意法半导体客户对汽车及工业用碳化矽元件与日俱增的需求，协助其迈向电气化并追求更高效率 |
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西门子与联华电子合作开发3D IC hybrid-bonding流程 (2022.09.30)
西门子数位化工业软体近日与联华电子（UMC）合作，为联华电子的晶圆对晶圆堆叠（wafer-on-wafer）及晶片对晶圆堆叠（chip-on-wafer）技术提供新的多晶片 3D IC 规划、组装验证，以及寄生叁数萃取（PEX）工作流程 |
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安森美在捷克共和国扩建碳化矽工厂 (2022.09.22)
安森美(onsemi)，厌祝其在捷克共和国Roznov扩建的碳化矽「SiC」工厂的落成。以工业和贸易部科长Zbyn?k Pokorny、兹林州州长Radim Holi?和市长Ji?i Pavlica以及其他当地政要为首的多位嘉宾出席了剪彩仪式，突显此事件和半导体制造在捷克共和国的重要性 |
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TI：氮化??电源管理设计将被加速采用 (2022.09.15)
随着全球技术不断升级，电源设计人员对功率密度和系统级效率的关注也随之提高，从而带动更高效的宽能隙功率半导体应用由以往的资料中心扩展至测试和测量、储能系统 (ESS) 及消费性电子等应用领域 |
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??基半导体获力智、中美矽晶、罗姆和台达电共新台币4.56 亿元投资 (2022.09.14)
台达子公司??基半导体，持续专注於第三代半导体氮化??（GaN）技术用於开发功率半导体。该公司宣布已完成新一轮4.56亿新台币的增资合约签订，且在这次增资的同时，获得了与力智电子（uPI）、中美矽晶（SAS）、日商罗姆半导体（Rohm），以及母公司台达等夥伴建立策略合作关系，共同加速GaN功率半导体技术的发展 |
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Transphorm获得美国能源部合约 提供新型四象限氮化??开关管 (2022.09.05)
Transphorm宣布赢得一份美国能源部先进能源研究计画署(ARPA-E)的合约。该专案是ARPA-E CIRCUITS计画的一部分，透过与伊利诺理工学院的转包合约展开，包括提供采用氮化??的四象限双向开关管(FQS) |
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GaN将在资料伺服器中挑起效率大梁 (2022.08.26)
GaN具有独特的优势，提供卓越的性能和效率，并彻底改变数据中心的配电和转换、节能、减少对冷却系统的需求，并最终使数据中心更具成本效益和可扩展性。 |
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EPC推出ePower功率级积体电路 实现更高功率密度和简化设计 (2022.08.11)
宜普电源转换公司（EPC）推出ePower功率级积体电路，它整合了整个半桥功率级，可在1 MHz工作时实现高达35 A的输出电流，为高功率密度应用提供更高的性能和更小型化的解决方案，包括DC/DC转换、马达控制和D类音频放大器等应用 |
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飞宏新款65W配接器采用Transphorm氮化??技术 (2022.08.02)
全球电源产品和电动汽车充电站供应商飞宏（Phihong）新推出65W 2C1A USB PD配接器，其中采用Transphorm公司的氮化??（GaN）技术。这款配接器采用Transphorm的SuperGaN第四代技术，这是一种氮化??场效应管（FET）平台，具有系统设计简单，元件数量少，高性能，高可靠等优点 |
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EPC推出高功率密度100V抗辐射电晶体 满足严格航太应用 (2022.07.05)
EPC推出100V、7mΩ、160 APulsed的抗辐射GaN FET EPC7004。尺寸小至6.56 mm2，其总剂量等级大於1 Mrad，线性能量转移的单一事件效应抗扰度为85 MeV/(mg/cm2)。EPC7004与EPC7014、EPC7007、EPC7019和EPC7018元件都是采用晶片级封装，这与其他商用的氮化??场效应电晶体（eGaN FET）和IC相同 |
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ST与MACOM射频矽基氮化??原型晶片达成技术和性能里程碑 (2022.06.14)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）和MACOM已成功制造出射频矽基氮化??（RF GaN-on-Si）原型晶片。意法半导体与MACOM将继续合作，并加强双方的合作关系。
射频矽基氮化??为5G和6G基础建设之应用带来巨大的发展潜力 |
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[COMPUTEX] 德仪：充分运用GaN技术可提升资料中心的能源效率 (2022.05.26)
德州仪器(TI)??总裁暨台湾、韩国与南亚总裁李原荣，今（26）日於2022 COMPUTEX Taipei论坛中表示，TI将协助客户充分发挥氮化??（GaN）技术的潜力，以实现更高的功率密度和效率 |
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EPC积极发展光达应用的车规认证积体电路 (2022.04.29)
EPC公司宣布推出 额定电压?100 V、58 mΩ 和脉冲电流为20 A 的共源双路氮化??场效应电晶体EPC2221，可用於机器人、监控系统、无人机、自动驾驶车辆和吸尘器的光达系统。
EPC2221采用低电感、低电容设计，允许快速开关 (100 MHz) 和窄脉冲宽度 (2 ns)，从而实现高解析度和高效率 |
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罗姆集团旗下SiCrystal纪念成立25周年 (2022.04.28)
半导体制造商罗姆集团旗下的 SiCrystal GmbH（以下简称SiCrystal）迎来了成立25周年纪念日。SiCrystal是一家总部位於德国纽伦堡的SiC（碳化矽）晶圆制造商，经过了25年的发展，目前已将业务范围扩展到全世界，并拥有200多名员工 |
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EPC新350V氮化??功率电晶体 比等效矽元件小20倍且成本更低 (2022.04.08)
宜普电源转换公司（EPC）推出 EPC2050，这是一款 350 V GaN 电晶体，最大 RDS(on) 为 80 mΩ，?冲输出电流? 26 A。 EPC2050 的尺寸仅为 1.95 mm x 1.95 mm。与采用等效矽元件的解决方案相比，基於EPC2050的解决方案的占板面积小十倍 |
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宏光半导体以GaN核心力全方位建构实现策略性转型 (2022.04.01)
宏光半导体专注经营发光二极管（LED）灯珠业务，持续追寻多元化发展，於年内正式投身第三代半导体氮化??（「GaN」）行业。集团凭藉其在LED制造方面的行业专业知识，将业务扩展至第三代半导体晶片设计制造及系统应用解决方案 |
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ROHM建立8V闸极耐压150V GaN HEMT量产体制 (2022.03.29)
半导体制造商ROHM已建立150V耐压GaN HEMT?GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量产体制，该系列产品的闸极耐压（闸极-源极间额定电压）高达8V，非常适用於基地台、资料中心等工控设备和各类型IoT通讯装置的电源电路 |
尽管DOS的大受欢迎，是伴随IBM个人PC的功成名就而来，不过要追溯它的起源，可要从较早期的微处理器时代开始说起。
