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CTIMES / Mosaid
科技
典故
第一颗晶体管(Transistor)的由来

第二次世界大战末期,贝尔实验室开始一项研究计划,目标是研发出一种体积更小、功能更强大、更快速且可靠的装置来取代真空管。1947年12月23日,由贝尔实验室研发的晶体管取代了真空管,优点是体积更小、更可靠、且成本低廉,不仅孕育了今日遍及全球的电子半导体产业,同时也促成电讯计算机业、医学、太空探测等领域产生戏剧性的改变。
加拿大IP公司控IBM侵犯6项DRAM专利 (2009.07.19)
外电消息报导,加拿大一家IP授权公司Mosaid,上周在美国特拉华州地方法院,对IBM提出了侵权指控,指IBM侵犯了该公司6项与DRAM内存技术有关的专利。 Mosaid表示,这些专利是与DRAM内存技术的组件有关
专利侵权告不完 Mosaid宣布已与三星和解 (2005.01.24)
据外电消息,加拿大半导体厂商Mosaid Technologies于2001年在美国控告南韩三星电子(Samsung Electronics)侵犯该公司7项DRAM科技专利权,日前Mosaid表示该诉讼已与三星达成和解,双方将签订为期5年的授权协议,由三星支付Mosaid权利金;但双方并未透露相关细节

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