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力晶 三菱签订0.15/0.13微米制程技术 (2000.09.05)
力晶半导体表示，已与日本三菱电机签订0.15与0.13微米制程技术，并将由三菱导入移动电话用低功率SRAM及Data Flash产品，藉以降低DRAM景气波动对营运所带来的冲击。
力晶半导体总经理蔡国智表示，原本力晶就与三菱在0 |
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台积电完成0.13微米铜制程产 (2000.07.18)
台积电内部透露，已利用4Mb SRAM为载具，成功完成各项制程设备的0.13微米铜制程试产，包括CVD、FSG与Spin On等3种不同的制程方式，良率都已达高水平。由于各项制程数据正在最后收集阶段，待完整的数据汇整后，台积电将于近期正式对外宣布 |
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林三号国际取得MRAM大中华区独家代理权 (2000.07.05)
宏国集团关系事业林三号国际发展公司将加速转型至电子商务的脚步，7月4日与美国联邦半导体USTC公司签订合作协议书，取得大中华地区MRAM的独家代理权，预计近日正式签约，20日宣布这项重大讯息，届时林三号国际发展公司将正式跟足高科技事业，预估明年MRAM的营业额可达5千万美元 |
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美光控告台湾DRAM倾销案的胜诉与省思 (2000.07.01)
参考资料： |
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钰创可望从0.15微米SRAM中获利 (2000.05.12)
钰创科技与台积电共同宣布，台积在钰创委托下，以最先进的制程产出0.15微米的SRAM，该颗800万(M)位的低功率SRAM，不但是全世界最小的一颗，且兼具高速的特性。由于台积电生产该颗产品的良率相当高，若市场接受度高，钰创将因此获利丰沛，预估该最产品将可在第四季大量出货 |
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硅成积电ICSI第二季开始供应低耗电SRAM (2000.04.10)
硅成积电为了因应通讯、手机、PDA等各种可携式产品市场对于低耗电SRAM需求日趋强烈，已可提供1Mb Low Low Power SRAM-128Kx8-3.3V 55ns/70ns给予相关市场需求交货生产，并于第二季初即可大量供应，届时硅成积电将是该市场台湾最大Fabless供货商 |
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国内IA厂商关键零组件采用情形调查 (2000.03.01)
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台湾晶圆代工产业未来展望 (2000.03.01)
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迎接千禧迈向数位化时代--建构数位化时代 (2000.01.01)
参考资料： |
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日立将试产全球最高速SRAM (1999.06.21)
日立制作所宣布试产全世界最高速的静态随机存取内存(SRAM)。日晶产业新闻报导，日立制作所开发的新内存，记忆容量为一兆位(Mb)，访问时间为550微微秒，预定今年内推出的下一代大型主机 |
