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CTIMES / Lte技術
科技
典故		 第一颗晶体管(Transistor)的由来

第二次世界大战末期，贝尔实验室开始一项研究计划，目标是研发出一种体积更小、功能更强大、更快速且可靠的装置来取代真空管。1947年12月23日，由贝尔实验室研发的晶体管取代了真空管，优点是体积更小、更可靠、且成本低廉，不仅孕育了今日遍及全球的电子半导体产业，同时也促成电讯计算机业、医学、太空探测等领域产生戏剧性的改变。
IDT推出高隔离性与线性射频开关 (2014.11.13)
IDT推出高隔离性与线性射频开关 IDT公司日前推出了F2912开关，此开关为半导体公司首次规划的新射频（RF）开关产品系列。F2912具有先进的低插入损耗、高隔离度及线性等整合特色，是在进行微波回载及前载、检测设备、有线电视头端，WiMAX射频、无线系统与一般开关应用基地台（2G、3G与4G）等工作时的最佳选择

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