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CTIMES / 力晶
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攀上传输顶巅──介绍几个数字显示接口标准

当传输技术进入数字时代之后,用户及厂商对于数字显示的质量要求越来越注重,结合显示适配器硬件的数字显示接口标准,其发展进度因而更受到瞩目。
传Elpida将收购三菱DRAM部 (2002.09.25)
根据日本经济新闻报导,日本Elpida(爱尔必达)计划收购三菱电机的DRAM部门。1980年代三菱(Mitsubishi)曾达到全球DRAM市场占有率为80%,名列前六大之一,如今随着市况低落,三菱难逃被购并的命运,预计三菱将以20~30亿日圆,将旗下DRAM之研发、营业部门售出,预定10月中旬双方商议购并条件完成
力晶12吋制程良率达80% (2002.09.17)
自今年3月装机、6月试产后,DRAM厂力晶半导体昨日对外宣布,第一批试产0.13微米12吋晶圆良率高达80%,整体良率达50%。力晶半导体董事长黄崇仁指出,第一批试产晶圆成功,证明该公司已掌握12吋晶圆的制程设备,以及0.13微米DRAM产品的设计等,与全球DRAM同业相较,力晶创下全世界最快试产成功的纪录
力晶公司宣布上半年营收、获利情形 (2002.08.14)
力晶半导体于8月14日召开董事会,通过91年度上半年会计师签核之财务报表,九十一年上半年税后盈余则为2.4亿元,较去年成长127 %,以目前加权流通在外股数23.6亿股计算,每股盈余为0.1元
力晶宣布原公布之财务预测已不适用 (2002.08.08)
力晶半导体公司,七日宣布原公布之财务预测已不适用,九十一年度全年营业收入将由新台币194亿元,降至151亿元,税前盈余将由新台币49亿元,下修至5.78亿元,调降幅度各约22%、88%
300mm自动化标准待解决 (2002.07.29)
昨日于工研院举办「300mm晶圆厂自动化座谈会」,会中邀请晶圆厂台积电、联电、力晶、茂德等厂商参与,并且邀集半导体设备供货商,共同进行自动化技术的讨论,藉由研讨提升国内半导体制造技术水平
反托拉斯法案笼罩DRAM大厂 (2002.06.21)
美国司法部对内存芯片产业展开反托拉斯调查,主要是调查各DRAM业者是否有以低价竞争逼退南韩Hynix的事情。除了将全球四大厂商列为调查对象外,调查范围并扩及日本及台湾规模较小的芯片制造商,台湾南亚科技、华邦电及日商的Elpida 20日分别证实接获传票通知
128Mb DRAM 8日正式跌破2美元 (2002.05.11)
Hynix为了取得支持营运的资金,近期加速在市场上低价倒货速度,包括美光、三星、力晶、茂硅等国内外DRAM厂则基于维持市占率考虑,于9日相继跟进释出DRAM颗粒至现货市场,由于市场需求仍然疲弱不振,128Mb DRAM 8日正式跌破2美元,来到1.9美元价位,短期内跌破1.5美元的机率大增
128Mb DRAM跌落3美元 (2002.05.07)
美光购买南韩 Hynix旗下动态随机存取内存(DRAM)部门破局,市场原本预期,半导体业将因此加速去化过剩产能的希望落空,指针性的128Mb DRAM芯片,现货价因此每颗跌落3美元,目前已回到去年十二月时的相对低点水平
全球DRAM厂供应量将减少10% (2001.11.08)
DRAM价格崩盘,全球DRAM厂厂莫不寻求出路。尤其以产量占全球第一名的美光,在本次的不景气中受到相当大影响,是否减产甚至关厂备受注目。据指出,此次美光停工的厂可能是先进制程大厂,包括美国本土的0
力晶及三菱成立力华IC设计公司 (2001.08.17)
力晶半导体董事长黄崇仁16日表示,将与日本三菱合作,成立新的IC设计公司「力华」,开发微控制器(MCU)及系统单芯片(SOC)等产品。未来,并将委托力晶的8吋厂代工生产。 黄崇仁指出
中日DRAM价格崩跌,厂商出招应对 (2001.08.07)
台湾及日本的DRAM制造厂商,面临严重供过于求所带来的价格重挫压力,采取不同的方式因应。有鉴于亏损实在庞大,日本半导体大厂恩益禧(NEC)已于二日宣布关闭制造;不过台湾制造DRAM的各厂如华邦电、世界先进、力晶等,仍然以股价等方式撑持当中
DRAM厂恐将纷纷调降财测数字 (2001.08.03)
DRAM价格崩跌,造成国内DRAM厂亏损扩大,连带掀起一波调降风潮。继茂德宣布调降今年度财测,南亚科预计下周调降,世界先进2日公布上半年税前亏损扩大至二十二亿七千万元,力晶内部初估上半年税前亏损亦扩大至十六亿元,近期两家公司恐均有调降财测动作
力晶、茂德微缩制程 力抗不景气 (2001.07.24)
DRAM市场短期难见曙光,厂商为对抗不景气,只能拚命增加产出,并压低生产成本,力晶23日表示,晶圆一厂运用0.18微米制程,微缩至0.16微米制程试产后,量率达到八成以上,并于本周起正式量产,将进一步使晶粒制造成本降低近20%;另一家DRAM厂茂德也将在年底跨入0.14微米制程,并试产0.11微米制程,可望大幅降低生产成本
Flash价格下跌 国内厂商仍加重产能投入 (2001.05.19)
由于全球市场对手机的需求陆续加大,因此引发闪存(Flash)产能的急速扩增,影响所及,使得今年的第一季以来在价格上一直处于低档不振,目前市场上16Mb的Flash降到6美元以下,这几乎是去年下半年高点的半价,而国内存储器厂商纷纷转进生产,但毛利率大幅降低
测试厂抢攻DDR测试大饼 (2001.04.11)
去年下半年开始内存现货价走低,日月光集团决定降低毛利低的内存封装比重,该集团测试大厂福雷电子也随之转向经营,逐步淡出内存测试市场。此举在近来已引发内存测试订单在市场上大量释出效应
国内DDR厂商扩充产能来势汹汹 (2001.03.13)
DDR近来已成为RDRAM挫败后的内存最佳继位者,而台湾许多内存厂商也都锁定DDR市场需求,近期纷纷扩充产能投片。据了解,南亚科技及茂硅最近因通过国际大厂认证,因此下半年DDR单月最大产能可能高达500万颗,如果把力晶为三菱代工的256Mb DDR也加进来计算,国内DDR的产量的市占率将占全球的三成以上
国内多家厂商积极布局闪存市场 (2001.03.12)
由于看好通讯的未来市场,国内半导体厂商包括旺宏、力晶、华邦电、南亚科技等相继朝闪存市场下注,除了少部分的自行研发外,大多数厂商都希望透过与国际大厂的合作以取得相关技术,这些技术如NAND型或NOR型闪存相似架构,预计明年进入量产,市场则锁定在第三代行动通讯及信息家电记忆卡市场
DRAM厂商今年纷提高生产量 (2001.01.12)
在经过去年三温暖式的内存市场震荡后,DRAM厂商去年营收报告也已全部完成,从业者营收状况分析,去年大多数厂商已实施调降财测动作,而之后的营收实绩亦大多能达成调降后财测水平
开放8吋厂赴大陆投资 政府抱持谨慎态度 (2000.12.28)
经济部长林信义倾向以项目审查方式,开放国内半导体厂赴大陆投资八吋晶圆厂。不过由于央行与陆委会仍有意见,据了解,未来八吋晶圆厂在项目审查时,建厂资金是否能在海外筹措,将是政府是否能放行的重要考虑
三菱将放弃DRAM生产 全数外包给力晶代工 (2000.12.22)
与力晶半导体策略联盟的日商三菱,内部规划将放弃DRAM生产,全数转至闪存及嵌入式DRAM,三菱并计划自2001年起,将DRAM全数外包给力晶代工,目前双方正密切洽谈DRAM产能外包计划

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