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力旺推出新一代OTP低成本量产解决方案 (2009.05.21)
嵌入式非挥发性内存硅智财厂商力旺电子因应量产客户需求，于日前推出独家新型OTP低成本量产解决方案NeoROM，有效降低大量量产成本。此方案能够依据不同产品需求与应用领域之特质，让用户搭配组合适用的量产模式，同时兼顾验证时的弹性与测试成本，建构更具效率的测试、量产与库存管理，使量产顾客受惠更深 |
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力旺0.13微米OTP推广于LCD驱动芯片进入量产 (2008.11.27)
力旺电子宣布，0.13微米先进嵌入式可程序非挥发性内存技术在台积电进入量产，成功将逻辑制程及高压制程之嵌入式非挥发性内存技术推进到更先进制程领域。经由客户的优先采用 |
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力旺电子获「产业科技奖」及「国家发明贡献奖」 (2008.10.07)
力旺电子获经济部「产业科技发展奖」之优等创新企业奖，及经济部智能财产局「97年国家发明创作奖」之贡献奖双料奖项。
力旺电子是目前台湾唯一专注以硅智财对全球授权且获利成长的公司 |
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力旺与美格纳合作量产可修改嵌入式内存 (2008.02.19)
力旺电子与半导体制造厂商美格纳(MagnaChip)共同宣布，力旺获专利的非挥发性电性可修改(Neobit)嵌入式内存，已可于MagnaChip 0.18微米CMOS逻辑制程上提供量产。该技术不只应用在CMOS逻辑制程，还可以应用在高压制程上 |
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力旺推出高电压制程OTP提升芯片良率与性能 (2006.07.18)
力旺电子完成0.15微米高电压制程之Neobit硅智财的技术开发；在达成此项里程碑后，力旺电子的嵌入式非挥发性内存Neobit硅智财已广泛地建置于组件制造整合厂(IDM)与晶圆代工厂高压制程平台之上，其涵盖了0.6微米、0.5微米、0.35微米、0.25微米、0.22微米、0.18微米与0.15微米的制程技术 |
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快闪记忆卡市场蓬勃 业者致力提升产品附加价值 (2004.06.07)
国际闪存市调机构Web-Feet估计，全球SD/MMC快闪记忆卡销售量到2007年时将突破2亿片。看准这生机蓬勃的市场，力旺电子应用自行开发之OTP技术，设计出可逻辑制程的记忆卡控制芯片 |
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力旺开发Neobit Fuse组件并积极布局欧美市场 (2003.10.09)
力旺电子近日表示该公司继本年度第二季正式推出Neobit逻辑制程可程序嵌入式内存技术，全力抢攻微控器（MCU）市场应用需求，力旺电子积极挺进非微控器领域，并与晶圆代工厂策略合作伙伴共同布局欧美市场 |
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力旺推出Neobit IP (2003.04.22)
力旺电子(EMTC)日前推出Neobit矽智财。 Neobit可取代目前ROM code、EPROM/Flash在微控器上的应用，由于Neobit可在晶片制作完成，测试或构装完之后再进行可程式之动作，而ROM则必须在晶片制作完成之前即要把程式码写入 |
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半导体厂商积极抢攻Flash市场 (2000.07.14)
闪存(Flash Memory)市场成长潜力惊人，根据分析机构的预估，闪存全球产值在1998年为25亿美元，预估至今年有机会达到100亿美元，2年产值跃升3倍。国内半导体业者除了华邦、旺宏积极投入外 |
IEEE的创立，是在于主导电子学的地位、促进电子学的创新，与提供会员实质上的协助。
