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SEMI：2010年全球晶圆厂资本支出成长64% (2009.09.07)
国际半导体设备材料产业协会（SEMI），日前发表了最新的全球晶圆厂报告。报告中预测，2010年全球晶圆厂资本支出将达到240亿美元，较今年成长64%。其中约有140亿美元来自于台积电（TSMC）、GlobalFoundries、东芝（Toshiba）、三星（Samsung）、英特尔（Intel）和华亚（Inotera）等六家公司已宣布的投资计划 |
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营运第一年就获利 华亚创12吋晶圆厂纪录 (2005.01.17)
国内SRAM大厂南亚科技与德商英飞凌科技（Infineon）合资兴建的12吋晶圆厂华亚科技总经理高启全，于该公司年终晚会中指出，华亚2004年即创下全球首座12吋晶圆厂在第一年就获利的纪录，2005年将全力冲刺，朝第二阶段月产能5.4万片的目标迈进 |
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Aviza垂直熔炉系统获华亚12吋晶圆厂采用 (2004.09.08)
半导体设备业者美商暐贳科技（Aviza Technology），宣布该公司垂直熔炉及单片晶圆原子层沉积（ALD）机台获得台湾DRAM 业者华亚科技（Inotera Memories）的12吋晶圆厂采用，Aviza表示将全力配合华亚12吋厂的第一阶段与第二阶段装机需求 |
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台塑整合集团资源打造12吋晶圆王国 (2004.05.05)
工商时报消息，台塑集团宣布建构12吋晶圆垂直整合体系，除将与英飞凌维持长期合资关系以掌握技术来源，南亚科也计划斥资2700亿元兴建4座12吋晶圆厂。南亚副总经理吴嘉昭昨天指出，整个规划案已进入先期的评估阶段，未来将配合台塑小松电子与福懋科技今年的扩厂动作垂直整合，打造台塑集团12吋晶圆时代 |
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英飞凌将量产0.11微米256Mb DRAM (2003.04.30)
继韩国三星日前宣布以0.11微米量产DRAM后，德商DRAM厂英飞凌也宣布以0.11微米沟槽式（Trench）制程试产256Mb DRAM，并且获得英特尔验证，目前已进入量产阶段，未来该制程将授权华邦、华亚、中芯等策略伙伴 |
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华亚12吋厂动土预计2004年产能达2万片 (2002.12.02)
昨日南亚与德商英飞凌（Infineon）举办合资DRAM厂华亚半导体12吋晶圆厂动土典礼，并且对外表示，预计2004年下半年该厂完成建置，估计每月产能将达2万片，到时将以0.11微米制程量产512Mb DRAM，2006可望达5万片产能水准 |
USB2.0是一种目前在PC及接口设备被广为应用的通用串行总线标准，摆脱了过去局限于PC的相关应用领域，而更深入地应用在数字电子消费产品当中。
