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瑞萨科技与Grandis合作发展自旋转移的65nm MRAM (2005.12.06)
瑞萨科技与Grandis, Inc.同意共同合作发展采用自旋转移写入技术的65nm处理MRAM（磁性随机内存）。瑞萨科技将在不久的未来，开始出货采用65 nm 制程 STT-RAMTM 的微控制器和SoC产品 |
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日立环球储存科技以百年技术发展20-GB微型硬盘 (2005.04.06)
日立环球储存科技公司(Hitachi GST)宣布革新逾百年的磁性录写技术，将为容量庞大的硬盘例如20GBMicrodrive微型硬盘或1TB 3.5吋硬盘的出现做好准备工作。
为达成这方面的技术突破，日立环球储存科技展出备有每平方英吋230Gb(Gb/in2)的垂直录写，这也是目前业界最高数据密度 |
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工研院电子所与台积电携手研发MRAM技术 (2005.01.06)
工研院电子所与晶圆代工大厂台积电宣布签订「MRAM合作发展计划」，双方将延续过去三年在MRAM技术研发上的合作，进一步朝新一代的MRAM技术推进，以赶上IBM、摩托罗拉及三星电子等国际大厂的脚步 |
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抢占PROMISE REV超值优惠，就在12月信息展 (2004.11.22)
为让消费者可以近距离体验PROMISE REV分离式硬盘技术所带来的极速便利，乔鼎信息将在12月4日至12日信息月展览期间，于世贸一馆志旭国际摊位(C626-628;C725-727)实机展示，并提供超值优惠供民众现场抢购 |
