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美光最低延迟创新主记忆体MRDIMM正式送样 (2024.07.18)
因应工作负载要求的日益严苛，为了充分发挥运算基础架构的最大价值。美光科技（Micron）宣布其多重存取双列直??式记忆体模组（MRDIMM）开始送样。MRDIMM针对记忆体需求高达每DIMM ??槽128GB以上的应用 |
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美光揭??永续行动进展 迈向未来创新目标 (2024.07.05)
美光科技发布 2024 年永续经营报告，详述美光的永续发展成果，并持续推动可为未来创造全新机会与突破的技术进程。美光总裁暨执行长 Sanjay Mehrotra 表示，美光 2024 年永续经营报告展现透过科技回??全球社群与环境的决心；期待协助引领整个半导体产业和生态系统取得更长足的进步 |
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美光发布2024年永续经营报告 强化发展永续经营和先进技术 (2024.07.04)
美光科技发布 2024 年永续经营报告。美光致力於实践环保并已取得实质进展。2023 年，美光的直接排放（范畴一）温室气体排放量相比 2020 年减少了 11%。预计 2025 年底前实现在美国采用 100% 再生能源供应的承诺 |
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高速运算平台记忆体争霸 (2024.07.02)
各类AI应用的市场需求庞大，各种记忆体的竞争也异常的激烈，不断地开发更新产品，降低成本，企图向上向下扩大应用，只有随时保持容量、速度与可靠度的优势才是王道 |
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美光次世代绘图记忆体正式送样 (2024.06.06)
美光科技宣布，采用美光1β (1-beta) DRAM技术和创新架构的次世代GDDR7绘图记忆体已正式送样。最高位元密度的美光GDDR7以功率优化设计打造最高速度达每秒32 Gb。同时其系统频宽提升至1.5 TB/s以上，频宽相较前一代美光GDDR6高出60%，拥有四个独立通道，提供最隹化工作负载与更快的回应速度、更流畅的游戏体验并显着缩短处理时间 |
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[Computex] 美光正式送样GDDR7绘图记忆体 创新游戏体验与AI应用 (2024.06.05)
美光科技宣布最高位元密度次世代GDDR7绘图记忆体已正式送样。采用美光1β (1-beta) DRAM技术和创新架构，美光GDDR7以功率优化设计打造最高速度达每秒32 Gb。同时其系统频宽提升至1.5 TB/s以上，频宽相较前一代美光GDDR6高出60%，美光GDDR7拥有四个独立通道，提供最隹化工作负载与更快的回应速度、更流畅的游戏体验并显着缩短处理时间 |
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美光32Gb伺服器DRAM通过验证并出货 满足生成式AI应用要求 (2024.05.08)
美光科技宣布其采用高容量单片 32Gb DRAM 晶粒的 128GB DDR5 RDIMM 记忆体正式验证与出货。美光 128GB DDR5 RDIMM 记忆体速度高达 5,600 MT/s，适用於各种先进伺服器平台，该产品采用美光的 1β 技术，相比其他 3DS直通矽晶穿孔（TSV）堆叠的产品，位元密度提升超过 45%，能源效率提升 22%，延迟则降低 16% |
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美光针对用户端和资料中心等市场 推出232层QLC NAND (2024.04.25)
美光科技推出 232 层 QLC NAND，将其整合至部份 Crucial 消费型 SSD 产品中。目前 CrucialR SSD 已正式量产并向企业储存装置客户出货，美光 2500 NVMeTM SSD 则已向 OEM PC 制造商送样 |
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美光正式量产HBM3E 功耗较前代降低约 30% (2024.02.27)
美光科技今宣布，其 8 层堆叠 24GB HBM3E解决方案已正式量产。美光 HBM3E 解决方案将应用於 辉达 H200 Tensor Core GPU，预计於 2024 年第二季出货。
美光执行??总裁暨事业长 Sumit Sadana 表示：「美光在 HBM3E 此一里程碑上取得了三连胜：领先的上市时间、业界最隹的效能、杰出的能源效率 |
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美光推出128GB DDR5 RDIMM记忆体 为生成式AI应用提供更隹解 (2023.11.27)
美光科技，宣布推出128GB DDR5 RDIMM 记忆体，采用 32Gb 单片晶粒，以高达 8,000 MT/s 的同类最隹效能支援当前和未来的资料中心工作负载。此款大容量高速记忆体模组专为满足资料中心和云端环境中各种关键应用的效能及资料处理需求所设计，包含人工智慧（AI）、记忆体资料库（IMDBs）、高效处理多执行绪及多核心运算工作负载等 |
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数位人才创新实证 助攻产业生态创新加值 (2023.11.10)
为带动产业转型升级与培育数位人才，资策会今（10）日举办「2023数位科技解决方案竞赛」颁奖典礼，以产业出题、人才解题方式进行，共吸引全台超过50组数位科技好手组队叁与提案，共计有14组团队获奖 |
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台湾美光台中四厂正式落成启用 将量产HBM3E及其他产品 (2023.11.06)
今日美光科技宣布台中四厂正式落成启用，这楝具指标性的建筑将进一步推动台湾先进 DRAM 制程技术的开发和量产。美光台中四厂将整合先进探测与封装测试功能，以量产 HBM3E 及其他产品，从而满足人工智慧、资料中心、边缘运算及云端等各类应用日益成长的需求 |
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Micron采用先进1β技术 推出高速DDR5记忆体 (2023.10.19)
美光科技推出 16Gb DDR5 记忆体，奠基於1β 制程节点技术，美光 1β DDR5 DRAM 的内建系统功能速率可达 7,200 MT/s，目前已出货给所有资料中心及 PC 客户。美光 1β DDR5 记忆体采用先进高介电常数 CMOS 制程、四相位时脉及时脉同步，相较於前一代产品，效能可提升 50%，每瓦效能功耗可降低33% |
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Nordic助力全新智慧卡提供安全多因素验证解决方案 (2023.08.23)
智慧光科技开发全新智慧卡产品BobeePass FIDO卡，适用於个人、政府机构、金融和企业等市场，提供可靠、方便和安全的多因素验证解决方案。这款智慧卡支援低功耗蓝牙（Bluetooth LE）、近场通讯（NFC）和USB通讯介面，可不受限制地跨设备使用 |
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SEMICON TAIWAN推动供应链升级 资安防护、智慧制造、净零永续深化韧性 (2023.08.17)
受到全球政经情势快速变动，以及永续、资安等意识高涨等因素影响，过去数十年所累积成形的国际供应链正进入重整阶段，以期深化产业韧性、推升全球产业升级。台湾年度最大半导体产业盛事SEMICON TAIWAN 2023今（16）日也宣布，本届论坛将聚焦多项供应链韧性升级关键领域 |
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美光发布记忆体扩充模组 加速CXL 2.0应用 (2023.08.14)
美光科技推出 CZ120 记忆体扩充模组，并已开始向客户和合作夥伴送样。美光 CZ120 模组提供 128GB 与 256GB 容量，采用 E3.S 2T 外型规格，并支援 PCIe Gen 5X8 介面。此外， CZ120 模组能够提供高达 36GB/s 的记忆体读写频宽，同时在需要增量记忆体容量和频宽时强化标准伺服器系统 |
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美光发布首款8层堆叠24GB HBM3 实现1.2TB/s频宽 (2023.07.30)
美光科技宣布推出业界首款第二代 8 层堆叠（8-High）24GB HBM3，并开始送样。此产品频宽达 1.2TB/s 以上，每脚位传输速率超过 9.2Gb/s，较目前市面上的HBM3解决方案高出 50%。此外，美光第二代HBM3的每瓦效能较前几代产品提升2.5 倍，刷新 AI 数据中心的关键性能、容量及功耗指标 |
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第二届新竹AIoT加速器媒合11家青创 企业携手抢攻科技新商机 (2023.07.10)
新竹县政府与StarFab Accelerator齐力打造的新竹AIoT加速器「青创点睛．竹梦成金」迈入第二届，近日举办「创新提案徵选与媒合」，吸引许多科技新创报名徵选；其中24家优秀新创脱颖而出 |
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美光发布 2023 年永续发展报告 与产业夥伴协作推动永续措施 (2023.07.05)
美光科技近日发表「团结力量大：美光 2023 年永续发展报告」，强调其对创新、环境、团队成员及社群持之以恒的承诺。美光今年不但推出新产品，以满足客户对能源功耗的需求、并且与供应商密切合作，推动可再生能源目标的进展，以及携手产业夥伴与供应商，实现全球营运净零排放的愿景 |
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美光两款资料中心新硬碟采用200层以上NAND (2023.05.17)
美光科技发布两款全新固态硬碟（SSD），包括 6500 ION NVMe SSD 及 XTR NVMe SSD，可因应数据的快速增长步伐，透过降低营运成本和改善储存效能，为资料中心带来重大进展。美光 6500 ION 为高容量 SSD，拥有卓越效能，并可赋能永续资料中心，提供较竞争者的 QLC 硬碟更高的性价比 |
