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半镶嵌金属化：後段制程的转折点？ (2025.01.03)
五年多前，比利时微电子研究中心（imec）提出了半镶嵌（semi-damascene）这个全新的模组方法，以应对先进技术节点铜双镶嵌制程所面临的RC延迟增加问题。 |
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爱德万测试：AI与HPC持续驱动半导体测试成长 加速拓展类比测试领域 (2025.01.03)
随着人工智慧（AI）、高效能运算（HPC）、以及高频宽记忆体（HBM）需求的迅速增长，全球半导体测试设备市场持续迎来蓬勃发展。在此背景下，爱德万测试（Advantest）不仅展现了对市场前景的乐观态度，还透过技术合作与产品创新，积极应对新一代半导体技术的挑战 |
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台科大半导体研究所结合产业资源 布局矽光子与先进封装领域 (2025.01.02)
为因应半导体产业快速变迁与人才需求，国立台湾科技大学於113学年度成立「先进半导体科技研究所」，聚焦矽光子技术、复合半导体材料及先进封装等前瞻领域。台科大并藉由国科会晶创计画建置的矽光子测量、封装设备活化华夏校区，为产业及学生提供完整的学习与实作环境、扩大产学合作，提升半导体人才培育综效 |
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DRAM制程节点持续微缩并增加层数 HBM容量与性能将进一步提升 (2025.01.02)
生成式AI快速发展，记忆体技术成为推动这一技术突破的关键。生成式 AI 的模型训练与推理需要高速、高频宽及低延迟的记忆体解决方案，以即时处理海量数据。因此，记忆体性能的提升已成为支撑这些应用的核心要素 |
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IEEE公布2024十大热门半导体文章 揭示产业未来趋势 (2024.12.31)
IEEE spectrum日前精选了2024年最受欢迎的十大热门半导体文章，作为回顾一整年的总结，同时也展??2025的新发展，以下就是其精选的内容：
1. 兆级电晶体GPU: 台积电预测十年内单个GPU将容纳一兆个电晶体 |
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首款新型TPSMB非对称TVS二极体为汽车SiC MOSFET 提供卓越的栅极驱动器保护 (2024.12.31)
Littelfuse今日宣布推出TPSMB非对称TVS二极体系列，这是首款上市的非对称瞬态电压抑制（TVS）二极体，专门用於保护汽车应用中的碳化矽（SiC）MOSFET闸极驱动器。 这项创新产品满足下一代电动车(EV) 系统对可靠过压保护日益增长的需求，提供一种结构紧凑的单元件解决方案，取代了传统用於栅极驱动器保护的多个齐纳二极管或TVS 元件 |
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CT2501 (2024.12.30)
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意法半导体先进的STGAP3S电隔离闸极驱动器 为IGBT和SiC MOSFET提供灵活的保护功能 (2024.12.30)
服务横跨多重电子应用领域之全球半导体领导厂商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）新 STGAP3S 系列碳化矽（SiC） 和 IGBT 功率开关闸极驱动器整合了最新之稳定的电隔离技术、优化的去饱和保护功能，以及灵活的米勒钳位架构 |
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工研院勾勒南台湾产业新蓝图 启动AI与半导体双引擎 (2024.12.27)
工研院今（27）日举行「AI赋能．半导体领航━2024南台湾产业策略论坛」，邀请多位产官学研领袖与会，聚焦於南台湾成熟的半导体供应链与技术优势，并结合快速崛起的AI技术，呼吁与会者及早布局「半导体南向，产业链聚能量」与「产业AI化、AI平民化」双引擎的产业架构，共创新商机 |
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Intel Foundry透过使用减材?? 提升电晶体容量达25% (2024.12.24)
英特尔晶圆代工（Intel Foundry）在2024年IEEE国际电子元件会议（IEDM）上公布了新的突破。包括展示了有助於改善晶片内互连的新材料，透过使用减材??（subtractive Ruthenium）提升电晶体容量达25% |
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Bourns 推出符合 AEC-Q200 标准 车规级高隔离驰返式变压器系列 (2024.12.24)
美商柏恩 Bourns，全新推出符合 AEC-Q200 标准车规级 HVMA03F40C-ST10S 驰返式变压器。该系列专为在紧凑尺寸中实现高功率密度与更高效率而设计，以因应当今汽车、工业以及能源储存设计对於功率密度的不断增长需求 |
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LG Display推出全球首款可伸缩萤幕 (2024.12.23)
LG Display日前於首尔LG科学园区发表全球首款可伸缩萤幕，将显示技术推向崭新境界。这款突破性创新产品可延伸至原始尺寸的1.5倍，实现前所未有的显示灵活性。
这款12寸萤幕采用矽基板和微型LED光源，可延伸至18寸，同时保持高清画质（100ppi）和完整的RGB色彩表现 |
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在宅医疗创新研发 南台科大智慧健康医疗科技研究中心展示成果 (2024.12.18)
南台科技大学智慧健康医疗科技中心日前举办2024年研发成果作品展示，智慧健康医疗科技研究中心为该校执行高等教育深耕计画第2部分特色领域研究中心的单位及计画。本计画即将满2年，此次展示15项研发成果作品 |
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imec推出无铅量子点短波红外线感测器 为自驾和医疗带来全新气象 (2024.12.17)
於本周举行的2024年IEEE国际电子会议（IEDM）上，比利时微电子研究中心（imec）携手其比利时Q-COMIRSE研究计画的合作夥伴，展示第一款包含砷化??（InAs）量子点光电二极体的短波红外线影像（SWIR）感测器原型 |
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Anritsu 安立知年度盛会展现 AI 热潮驱动无线通讯与高速介面技术飞速革新 (2024.12.17)
人工智慧 (AI) 热潮在 2024 年持续升温，从云端资料中心到边缘装置的应用不断扩展，成为推动各种技术标准快速演进的核心力量。乙太网路 (Ethernet)、PCI Express (PCIe) 及 USB，以及 5G/B5G/6G 和 Wi-Fi 6/7 等无线通讯技术，持续在频宽和传输速率上实现升级 |
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台积电发表N2制程技术 2奈米晶片效能再升级 (2024.12.16)
台积电本周於旧金山举行的IEEE国际电子元件会议(IEDM)上，发表了其下一代名为N2的2奈米电晶体技术，也是台积电全新的电晶体架构━环绕闸极(GAA)或奈米片（NanoSheet）。目前包含三星也拥有生产类似电晶体的制程，英特尔和台积电，以及日本的Rapidus都预计在2025年开始量产 |
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超高亮度Micro-LED突破绿光瓶颈 开启显示技术新纪元 (2024.12.15)
根据《nature》期刊，氮化??Micro-LED阵列亮度突破10?尼特，实现高达1080×780像素的高密度微型显示器。这一突破克服了晶圆级高质量磊晶生长、侧壁钝化、高效光子提取和精巧的键合技术等长期挑战，为AR/VR设备、可穿戴设备和下一代消费电子产品带来巨大优势 |
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碳化矽市场持续升温 SiC JFET技术成为关键推动力 (2024.12.11)
随着全球对高效能源与高性能技术需求的增加，碳化矽（SiC）市场正迎来快速增长。碳化矽材料因其优异的热稳定性、高击穿电压与高功率密度性能，成为许多高效能应用的首选，涵盖电动车、再生能源系统以及资料中心等领域 |
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??侠发表全新记忆体技术OCTRAM 实现超低功率耗 (2024.12.10)
记忆体商??侠株式会社（Kioxia Corporation），今日宣布开发出全新记忆体技术OCTRAM (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM)，这是一种新型 4F2 DRAM，采用具备高导通电流和超低截止电流的氧化物半导体电晶体 |
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IBM光学互连技术突破 资料中心能耗降低80% (2024.12.09)
为了解决资料中心能耗与运行效能的难题，IBM提出了一项新的技术来因应。该公司发表了一种全新的共封装光学（CPO）制程，将光学元件直接与电子晶片整合在单一封装内，使资料中心内的设备能够以光速进行连接 |
