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东芝推出最新低热阻及低逆向电流之肖特基二极体 (2018.07.16)
东芝电子元件及储存装置株式会社推出新型肖特基障壁二极体产品CUHS10F60，主要用於电源电路整流和回流预防等应用。
CUHS10F60在其新开发的US2H封装中采用105。C/W低热阻，封装代码为SOD-323HE，该封装的热阻较传统USC封装降低约50%，散热效果更隹 |
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英飞凌推出车用CoolSiC肖特基二极体 结合效能与耐用性 (2018.06.19)
英飞凌科技股份有限公司首款车用碳化矽系列CoolSiC肖特基二极体系列於日前PCIM展会上亮相，该款肖特基二极体已准备就绪，可用於目前和未来油电混合车和电动车中的车载充电器 (OBC) 应用 |
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安森美推出碳化矽二极体 提供高能效、高功率密度 (2018.03.01)
安森美半导体（ON Semiconductor）推出最新650 V碳化矽（SiC）肖特基二极体（Schottky diode）系列产品，扩展SiC二极体产品组合。这些二极体的先进碳化矽技术提供更高的开关效能、更低的功率损耗，并轻松实现元件并联 |
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Littelfuse推出经扩展的碳化矽肖特基二极体产品系列 (2018.01.24)
Littelfuse, Inc.推出四个隶属於其第2代产品家族的1200V碳化矽（SiC）肖特基二极体系列产品，该产品家族最初於2017年5月发布。
LSIC2SD120A08系列、LSIC2SD120A15系列和LSIC2SD120A20系列的额定电流分别为8A、15A、20A，并采用主流的TO-220-2L封装 |
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英飞凌第六代 650 V CoolSiC肖特基二极体可快速切换 (2017.10.02)
【德国慕尼黑讯】英飞凌科技(Infineon)推出650 V CoolSiC肖特基二极体G6。这项 CoolSiC二极体系列的最新发展以G5的独特特性为基础，提供可靠性、高品质及更高的效率。CoolSiC G6二极体让600 V与650 V CoolMOS 7系列的功能更臻完善，适用於伺服器、PC电源、电信设备电源及PV变频器等目前与未来的应用 |
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Diodes推出新款可程式化调光LED驱动器 (2016.10.21)
Diodes公司推出AL3050电流模式升压型LED驱动器，为携带型设备的LED背光提供可程式化亮度功能。这款产品具有先进的调光特点、小尺寸、低BOM成本和高效率的优点，适合带有小型LCD面板的单锂电池设备，例如多功能/智慧手机、携带型媒体播放机、GPS接收器以及其他高移动性装置 |
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Littelfuse将于2016年PCIM Europe展示市场应用解决方案 (2016.05.10)
全球电路保护领域的企业 Littelfuse公司，将出席2016年5月10-12日在德国纽伦堡举行的2016年PCIM Europe展。该展会是展示电力电子领域最新发展的世界盛会之一。本次展会上，Littelfuse将在7-140展台（7厅）展示两个全新的电源半导体系列：碳化矽（SiC）肖特基二极体和矽IGBT技术 |
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凌力尔特双组二极管控制器 (2012.06.15)
凌力尔特 (Linear) 日前发表0V至18V双组理想二极管控制器LTC4353，其能取代两个高功率肖特基二极管，能透过对于供应电压的最小干扰达到多个电源的低漏失。LTC4353可稳压横跨于外部N信道MOSFET的顺向压降，以在diode-OR应用中确保电流之间的平稳电流转换 |
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恩智浦半导体最高支持1.5A的0.37mm超平封装肖特基整流器 (2012.03.02)
恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ：NXPI) 近日宣布推出针对行动设备市场的新一代低VF肖特基整流器，为微型化发展树立新的重要基准。新款DFN1608D-2 (SOD1608) 塑料封装典型厚度仅有0.37 mm，尺寸为1.6 x 0.8 mm，是市场上支持最高1.5A电流的最小组件 |
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凌力尔特发表双信道4A PowerPath理想二极管组件 (2011.11.14)
凌力尔特（Linear）日前发表，一款完整的双信道4A PowerPath理想二极管组件LTC4415，专为缩减热量、压降和电路板空间而设计，同时可保存电源切换电路中的电池续航力。LTC4415是需要理想Diode-ORing功能，以用于负载共享或在两个输入电源间自动切换之应用的理想选择 |
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IR推出超小尺寸之高效率60A额定电流组件 (2011.03.31)
国际整流器公司（IR）于今（30）日产品记者会中宣布，推出整合式PowIRstage产品系列的第一个产品IR3550。该公司表示，该新产品提供更高效率和更佳的热效能。并拥有最小的占位面积外，还简化了DC-DC转换器的设计，适用于下一代高效能服务器、储存和通讯系统 |
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IR新款25 V及30 V高性能PQFN功率MOSFET系列 (2010.12.08)
国际整流器公司（IR）近日宣布，推出一系列25 V及30 V组件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅组件和新款高性能PQFN 3 x 3封装，为电讯系统、网络通讯和高端桌上及笔记本计算机应用的DC-DC转换器，带来高密度、可靠，且高效率的解决方案 |
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肖特基二极管对酞菁铜奈米线数组的多孔氧化铝模板中嵌入-肖特基二极管对酞菁铜奈米线数组的多孔氧化铝模板中嵌入 (2010.11.22)
肖特基二极管对酞菁铜奈米线数组的多孔氧化铝模板中嵌入 |
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快捷半导体推出新款升压转换器 (2010.08.17)
快捷半导体公司于日前宣布，推出结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的器件FDZ3N513ZT，占位面积仅为1mm x 1mm，以满足客户需求和发展趋势。
FDZ3N513ZT是升压转换器中的主要组件，用以驱动串联白光LED，为智能型手机的显示屏幕（以及按键，如果有键盘的话）提供照明 |
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快捷推出超紧凑薄型MicroFET MOSFET产品系列 (2010.05.24)
快捷半导体（Fairchild）为满足可携式产品设计人员不断追寻效率更高、外形更小更薄的解决方案的需求，推出采用超紧凑薄型（1.6mm x 1.6mm x 0.55mm）封装的高性能MicroFET MOSFET产品系列 |
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快捷推出新款紧凑型背光照明解决方案 (2010.03.25)
快捷半导体（Fairchild）近日宣布，推出新款背光照明解决方案FAN5341，以满足现今电池供电型可携式电子产品客户对节省电能并实现更多功能的需求。FAN5341是高效的LED驱动器解决方案，能够提升可携式设计的亮度和分辨率，同时提供32级调光功能，并可驱动多达5个串联的白光LED |
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针对奈米电子时代的非挥发性内存 (2010.02.02)
目前主流的基于浮闸闪存技术的非挥发性内存（NVM）技术有望成为未来几年的参考技术。但是，闪存本身固有的技术和物理局限性使其很难再缩小技术节点。在这样的环境驱使下，业界试图运用新的材料和概念研发更好的内存技术，以替代闪存，并更有效地缩小内存，提高储存效能 |
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Linear发表2.5μA静态电流之降压DC/DC转换器 (2009.12.23)
凌力尔特（Linear Technology）日前发表350mA、 60V超低静态电流之降压切换稳压器LT3990，此组件的Burst Mode操作可于无负载待机状态下将静态电流维持在2.5uA以下。4.3V至60V输入电压范围，使其适合汽车及工业等需要以超低功耗进行连续输出之应用 |
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快捷半导体MicroFET采用薄型封装 (2009.11.23)
快捷半导体（Farichild）宣布其MicroFET推出薄型封装版本，以协助设计人员提升其设计性能。快捷半导体与设计工程师和采购经理合作，开发出了这款整合式P沟道PowerTrench MOSFET与肖特基二极管组件FDFMA2P859T |
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天科合达实现3英寸碳化硅芯片规模化生产 (2009.09.30)
天科合达实现了3英寸SiC芯片的规模化生产。此前，天科合达降低了2英寸SiC芯片的销售价格以满足客户对新一代大功率半导体器件的研发和商业化应用。
天科合达已成功实现了高质量3英寸导电型SiC芯片的量产，且正积极扩大产能 |
