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非铜金属半镶嵌制程 实现窄间距双层结构互连 (2022.08.05)
imec展示全球首次实验示范采用18nm导线间距的双金属层半镶嵌模组，强调窄间距自对准通孔的重要性，同时分析并公开该模组的关键性能叁数，包含通孔与导线的电阻与可靠度 |
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关於台积电的2奈米制程，我们该注意什麽？ (2022.07.29)
台积在6月底正式宣布了他们的2nm技术蓝图，有什麽重要性？又会带出哪些半导体制造技术的风向球？本文就从技术演进，以及市场竞争与成本的角度来切入分析。 |
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imec最新High-NA EUV技术进展 加速微影生态系统开发 (2022.04.26)
比利时微电子研究中心（imec）於本周国际光学工程学会（SPIE）举行的先进微影成形技术会议（2022 SPIE Advanced Lithography and Patterning Conference）上展示其High-NA微影技术的重大进展，包含显影与蚀刻制程开发、新兴光阻剂与涂底材料测试，以及量测与光罩技术优化 |
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评比奈米片、叉型片与CFET架构 (2022.04.21)
imec将於本文回顾奈米片电晶体的早期发展历程，并展??其新世代架构，包含叉型片（forksheet）与互补式场效电晶体（CFET）。 |
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2022年DRAM产值达915亿美元 下半年止跌反涨 (2021.11.04)
根据TrendForce研究显示，2022年的DRAM供给位元成长率约18.6%，然而由于目前买方库存水位已偏高，加上2022年需求位元成长率仅17.1%，明年DRAM产业将由供不应求转至供过于求，但在寡占市场型态下，整体产值并不会大幅下跌，预估2022年的DRAM总产值将达915.4亿美元，年增微幅上升0.3% |
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DRAM报价大涨台厂受惠 2021首季全球总产值增8.7% (2021.05.11)
TrendForce研究显示，2021年第一季DRAM的需求比预期还来得更强劲，包含远距办公与教学带动笔电市场淡季不淡，中国手机品牌Oppo、Vivo、小米也积极加重零组件采购力道，抢食华为被列入实体管制清单後的市占缺囗 |
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车用记忆体未来三年成长超过30% 台厂实力不容小黥 (2021.02.23)
TrendForce旗下半导体研究处表示，随着自驾等级的提升、5G基础建设的普及等因素，车用记忆体未来需求将高速增长。
以目前自驾程度最高的特斯拉（Tesla）为例，从Tesla Model S/X起 |
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TrendForce：2021年第一季整体DRAM均价将止跌回稳 (2020.12.10)
根据TrendForce旗下半导体研究处表示，包含PC DRAM（占总供给位元数13%）、Server DRAM（34%）、Mobile DRAM（40%）、Graphics DRAM（5%）以及Consumer DRAM（8%）在内的DRAM领域，因整体属寡占市场型态，供需动能较NAND Flash明显健康许多 |
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3D FeFET角逐记忆体市场 (2019.11.25)
爱美科技术总监Jan Van Houdt解释FeFET运作机制，以及预测这项令人振奋的「新选手」会怎样融入下一代记忆体的发展蓝图。 |
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仿真和原型难度遽增 Xilinx催生世界最大FPGA (2019.10.03)
赛灵思推出世界最大容量的FPGA，单一颗晶片拥有最高逻辑密度和最大I/O数量，将可以用于对未来最先进的ASIC和SoC技术的仿真与原型设计提供支援。 |
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解决黄光技术成本挑战 默克提出DSA代替微影材料 (2019.09.19)
微影（lithography）扮演半导体制程中最重要的流程，通常占全体制程40%~50%的生产时间。随着电晶体大小持续微缩，微影技术需制作的最小线宽（pitch level）也被为缩至极短波长才能制成的程度，从采用波长365nm的UV光，到波长248nm及193nm的深紫外线光（DUV），甚至是波长10~14nm的极紫外线光（EUV），微影技术正面临前所未有的挑战 |
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仿真和原型难度遽增 催生Xilinx全球最大FPGA问世 (2019.08.22)
在今天这个创新案例层出不穷，各种AI人工智慧/机器学习、5G、汽车、视觉，和超大规模ASIC与SoC等应用需求不断地增加，而系统架构、软体内容和设计复杂性也随着不断增加，促使业界越来越频繁启动ASIC和SoC设计，并衍生了新型态的挑战 |
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大银预估最快9月上市 看好明年景气回温 (2019.08.07)
继中美贸易战後，日韩贸易战又接踵而至，除了造就亚洲供应链陆续外移至东南亚等地，中国大陆、南韩更先後宣布扩大投资设备自主化，对於传动元件需求亦与日俱增，产能最快可在明(2020)年开出 |
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TrendForce：2018年第四季DRAM产值正式反转向下 (2019.02.26)
根据TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)调查显示，DRAM报价於2018年第四季开始反转向下，造成DRAM整体产业营收下滑。由於需求端的库存水位普遍偏高，导致采购力道薄弱，连带使得DRAM供应商的位元出货(sales bit)多呈现大幅季衰退 |
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TrendForce：第三季DRAM产值再创新高 原厂获利能力恐触顶 (2018.11.15)
根据TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)调查显示，2018年第三季DRAM整体产业营收较上季成长9%，再创历史新高。观察各产品别的报价走势，除了绘图用记忆体(graphic DRAM)受到虚拟挖矿(cryptocurrency)需求骤减与基期太高的影响 |
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TrendForce：Q2全球行动式记忆体产值再创新高 (2018.08.20)
TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)调查显示，第二季在Android阵营接续发表旗舰新机的带动下，全球智慧型手机市场总生产数量季增近3%。由於高阶机种主流搭载容量升至6GB，且8GB的搭载占比也较去年扩大；加上市场供给仍旧紧缺，带动第二季合约价格微幅上扬，在量增价涨下，第二季行动记忆体产值来到88.69亿美元，季增5.1%，再创新高 |
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TrendForce：第二季DRAM营收季增11.3%再创新高 (2018.08.13)
根据TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)调查显示，2018年第二季由於供给吃紧情况延续，带动整体DRAM报价走扬，DRAM总营收较上季成长11.3%，再创新高。除了绘图用记忆体(graphic DRAM)仍受惠於虚拟挖矿(cryptocurrency)需求的增温，带动价格有15%显着上涨外，其馀各应用别的记忆体季涨幅约在3%左右 |
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TrendForce：伺服器记忆体供货率提升，Q3合约价增幅有限 (2018.06.26)
根据TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)最新调查，由於伺服器用记忆体平均出货供给达成率(Fulfillment Rate)逐季攀升，现阶段供给吃紧的状况有机会在下半年获得??解。
DRAMeXchange资深分析师刘家豪指出 |
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TrendForce：单价续扬 DRAM第一季营收季增5.4%再创新高 (2018.05.14)
根据TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)调查显示，2018年第一季的DRAM价格走势，除了绘图用记忆体(graphic DRAM)受惠於基期较低以及虚拟挖矿(cryptocurrency)需求的增温，带动价格有15%显着上涨外，其馀各应用别的记忆体在第一季约有3-6%不等的季涨幅，今年第一季全球DRAM总营收较2017年第四季成长5.4%，再创新高 |
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创新FDSOI能带调制元件双接地层Z2FET (2018.02.02)
本文介绍一个创新的依靠能带调制方法的快速开关 Z2-FET DGP元件，该元件采用先进的FDSOI制造技术，具有超薄的UTBB，并探讨在室温取得的DC实验结果。 |
