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3D DRAM新突破！ 国研院联手旺宏提升AI晶片效能 (2025.02.26)
国研院半导体中心与旺宏电子合作，成功开发「新型高密度、高频宽3D动态随机存取记忆体（3D DRAM）」，此技术突破传统2D记忆体限制，采用3D堆叠技术，大幅提升记忆体密度与效能，且具备低功耗、高耐用度优势，有助於提升AI晶片效能 |
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世迈科技：CXL介面加速推动伺服器AI运算效能革新 (2025.02.21)
CXL介面凭藉其高效能、低延迟和灵活的资源管理能力，正在成为数据中心、伺服器和AI运算领域的关键技术。随着CXL 3.0的推出，其应用场景将进一步扩展，并在未来的高性能计算和AI领域发挥更大的作用 |
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SOT-MRAM记忆体技术重大突破 有??改写电脑快取架构 (2025.02.10)
德国约翰古腾堡大学（JGU）研究团队携手法国Antaios公司，在自旋轨道扭矩（SOT）磁性随机存取记忆体（MRAM）技术上取得关键性进展。这项创新技术展现了取代现有电脑快取记忆体的潜力，为高效能运算开辟新道路 |
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日本光磁技术重大突破 为光储存记忆体带来新视野 (2025.02.06)
日本东北大学研究团队近日在光磁技术领域取得重大进展，成功观测到比传统磁铁高出五倍效率的光磁转矩，为开发基於光学的自旋记忆体和储存技术带来深远影响。
光磁转矩是一种可以对磁铁产生作用力的方法 |
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生成式AI为中国记忆体产业崛起带来契机 可??在中低阶市场站稳根基 (2025.01.17)
随着生成式AI技术的快速发展，全球记忆体市场需求急剧上升，这波趋势不仅刺激了全球供应链的加速转型，也为中国记忆体产业带来崭新的发展契机。长鑫存储（CXMT）等中国企业，正凭藉技术突破与市场拓展，努力缩短与全球领先企业的差距，为整个产业的竞争格局注入新的变数 |
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Microchip Switchtec™ PCIe® Switches工程人员开发及管理的好帮手 (2025.01.03)
近年因人工智慧、机器学习和深度学习等高算力应用需求带动AI/ML伺服器及储存伺服器等制造商的快速发展，高算力所产生的资料流（data streaming）传输会占用大量的介面传输频宽 |
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DRAM制程节点持续微缩并增加层数 HBM容量与性能将进一步提升 (2025.01.02)
生成式AI快速发展，记忆体技术成为推动这一技术突破的关键。生成式 AI 的模型训练与推理需要高速、高频宽及低延迟的记忆体解决方案，以即时处理海量数据。因此，记忆体性能的提升已成为支撑这些应用的核心要素 |
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Weebit Nano授权ReRAM技术给安森美半导体 (2025.01.02)
以色列记忆体技术开发商Weebit Nano Limited宣布，已将其电阻式随机存取记忆体 (ReRAM) 技术授权给安森美半导体。
根据协议条款，Weebit ReRAM IP将整合到安森美半导体的Treo平台中，以提供嵌入式非挥发性记忆体 (NVM) |
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汽车微控制器技术为下一代车辆带来全新突破 (2024.12.26)
意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）深耕汽车市场已超过30年，为客户提供涵盖典型车辆中多数应用的多元产品与解决方案。随着市场的发展，ST的产品阵容不断精进，其中汽车微控制器（MCU）是关键之一 |
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卢超群：以科技提高生产力 明年半导体景气谨慎乐观并逐步成长 (2024.12.19)
CES 是全球最具影响力的科技盛会，2025年的CES展会，??创科技集团以「创新落实、AI 落地，连结 MemorAiLink 开创未来」为主轴叁展，将展示「普识智慧 (Pervasive Intelligence) 与异质整合 (Heterogeneous Integration)」的 IC 产品理念，展现其在创新产品开发上的不懈努力 |
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Rambus与美光延长专利授权协议 强化记忆体技术力 (2024.12.11)
半导体IP商Rambus今日宣布，已与美光(Micron )专利授权协议期限延长五年。该延长协议维持现有授权条款，允许Micron在2029年底前广泛使用Rambus专利组合。其他条款和细节保密 |
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??侠发表全新记忆体技术OCTRAM 实现超低功率耗 (2024.12.10)
记忆体商??侠株式会社（Kioxia Corporation），今日宣布开发出全新记忆体技术OCTRAM (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM)，这是一种新型 4F2 DRAM，采用具备高导通电流和超低截止电流的氧化物半导体电晶体 |
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宜鼎三大记忆体与储存解决方案荣膺2025台湾精品奖， 助力AI加速与高效运算、兼具永续价值 (2024.12.09)
全球AI解决方案与工业级记忆体领导品牌宜鼎国际（Innodisk）布局边缘AI、资料中心与伺服器等应用领域有成，旗下三项创新产品甫获得被誉为「产业界奥斯卡奖」的台湾精品奖殊荣，彰显宜鼎於产品创新、研发实力及品质控管方面的卓越表现 |
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苹芯全新边缘人工智慧SoC使用Ceva感测器中枢DSP (2024.11.01)
全球晶片和软体IP授权厂商Ceva公司宣布记忆体内运算（processing-in-memory；PIM）技术先驱企业苹芯科技公司（PiMCHIP Technology）已获得Ceva-SensPro2感测器中枢DSP授权许可，并部署在用於穿戴式装置、摄影机、智慧医疗保健等领域的S300边缘AI系统单晶片（SoC）中 |
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宜鼎推出DDR5 6400记忆体，具备同级最大64GB容量及全新CKD元件，助力生成式AI应用稳定扎根 (2024.10.30)
全球AI解决方案与工业级记忆体领导品牌宜鼎国际（Innodisk）领先推出DDR5 6400记忆体模组，具备单条64GB的业界最大容量。产品采用全新的CUDIMM与CSODIMM规格，增设CKD晶片（用户端时脉驱动器）以提升传输讯号稳定性，并透过TVS（瞬态电压抑制器）防止因电压不稳造成元件毁损，为边缘应用提供至关重要的高稳定度 |
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Crucial扩展DDR5 Pro电竞记忆体产品组合 为游戏玩家提供更快速度 (2024.10.30)
美光科技推出 Crucial DDR5 Pro 超频电竞记忆体，以全新 6,400 MT/s 的速度，为玩家提供更流畅、更快速的游戏体验。此次产品更新是继 2月首次推出的6,000 MT/s 电竞记忆体解决方案後的进一步升级 |
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英特尔针对行动装置与桌上型电脑AI效能 亮相新一代Core Ultra处理器 (2024.10.17)
英特尔於亮相新一代Intel Core Ultra 200V系列处理器（代号：Lunar Lake）与Intel Core Ultra 200S系列处理器（代号：Arrow Lake），并展示基於最新平台所打造的笔记型电脑、主机板，以及桌上型电脑 |
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美光超高速时脉驱动器DDR5记忆体产品组合 可助新一波AI PC发展浪潮 (2024.10.16)
美光科技推出全新类别的时脉驱动器记忆体━Crucial DDR5 时脉无缓冲双列直??式记忆体模组（CUDIMM）和时脉小型双直列记忆体模组（CSODIMM），现已大量出货。这些符合 JEDEC 标准的解决方案运行速度高达 6,400 MT/s，是 DDR4 速度的两倍之多，比传统的非时脉驱动器 DDR5 快 15% |
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宜鼎率先量产CXL记忆体模组 为AI伺服器与资料中心三合一升级 (2024.09.05)
由於业界过往普遍采用伺服器的容量与频宽标准，已无法完整满足现今AI应用时产生庞大运算所需的效能。宜鼎国际 （Innodisk）率先推出「CXL记忆体模组」，透过全新CXL协定，提供单条64GB大容量及高达32GB/s的频宽 |
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HBM应用优势显着 高频半导体测试设备不可或缺 (2024.08.27)
HBM技术将在高效能运算和AI应用中发挥越来越重要的作用。
尽管HBM在性能上具有显着优势，但在设计和测试阶段也面临诸多挑战。
TSV技术是HBM实现高密度互连的关键，但也带来了测试的复杂性 |
