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三菱电机将交付用於xEV的SiC-MOSFET裸晶片样品 (2024.11.12)
三菱电机株式会社（Mitsubishi Electric）宣布，将开始发货用於驱动马达的碳化矽 （SiC) 金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET）裸晶片样品11月14日，三菱电机推出电动车（EV）、??电式混合动力车（PHEV）和其他电动车（xEV）的逆变器 |
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SiC MOSFET：意法半导体克服产业挑战的颠覆性技术 (2024.11.11)
意法半导体中国及APeC车用SiC产品部门经理Gaetano Pignataro分享了他对碳化矽（SiC）市场的观点、行业面临的挑战以及ST应对不断增长需求的策略。 |
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ROHM叁展2024慕尼黑电子展以E-Mobility、车用和工控为展示主轴 (2024.11.06)
现今电子系统的需求日益成长，尤其是在永续经营和急需创新的市场方面，先进技术将成为助力。半导体制造商ROHM将於11月12日至15日叁加在德国慕尼黑举办的2024慕尼黑电子展（electronica 2024），展示提高车用和工控中功率密度、效率和可靠性的先进功率和类比技术，并进行技术交流合作 |
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ROHM的EcoSiC导入COSEL的3.5Kw输出AC-DC电源产品 (2024.10.30)
半导体制造商ROHM生产的EcoSiC产品SiC MOSFET和SiC萧特基二极体（SBD），被日本先进电源制造商COSEL生产的三相电源用3.5kW输出AC-DC电源单元「HFA／HCA系列」采用。强制风冷型HFA系列和传导散热型HCA系列均搭载ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD，实现最大的工作效率（94%） |
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贸泽电子推新品：2024年Q3新增近7,000项元件 (2024.10.29)
贸泽电子（Mouser Electronics）协助客户加快产品上市速度。贸泽受到超过1,200个半导体及电子元件制造商品牌的信赖，帮助他们将新产品卖到全世界。贸泽为客户提供100%通过认证的原厂产品，而且还能追踪这些产品自离开制造商工厂以後的完整路线 |
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英飞凌CoolSiC萧特基二极体2000 V直流母线电压最高可达1500 VDC (2024.10.28)
许多工业应用如今可以透过提高直流母线电压以求功率损耗最低时，也朝向更高的功率水准。因应此需求，英飞凌科技（Infineon）推出CoolSiC萧特基二极体2000 V G5，这是市面上首款击穿电压达到2000 V的分立式SiC二极体，适用於直流母线电压高达1500 VDC的应用，额定电流为10 A 至80 A，符合光伏、电动汽车充电等高直流母线电压应用 |
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Littelfuse推出首款用於SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极体系列 (2024.10.22)
工业技术制造公司Littelfuse推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极体，为市场上首款非对称瞬态抑制解决方案，专为保护碳化矽（SiC）MOSFET栅极免受过压事件影响而设计 |
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英飞凌HybridPACK Drive G2 Fusion结合矽和碳化矽至电动汽车先进电源模组 (2024.10.16)
英飞凌科技推出HybridPACK Drive G2 Fusion，为电动汽车领域的牵引逆变器确立新的电源模组标准。HybridPACK Drive G2 Fusion是首款结合英飞凌矽（Si）和碳化矽（SiC）技术，可随??即用的电源模组 |
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意法半导体为电动车牵引变频器打造新一代碳化矽功率技术 (2024.10.08)
全球半导体领导厂商意法半导体（STMicroelectronics；ST）正式推出第四代STPOWER碳化矽（SiC）MOSFET技术。这项新技术不仅满足车用及工业市场的需求，还针对电动车（EV）动力系统中的关键元件牵引变频器进行专门优化，在功率效率、功率密度及稳定性上树立全新的标竿 |
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数位电源驱动双轴转型 绿色革命蓄势待发 (2024.10.01)
CTIMES日前举办了「数位电源驱动双轴转型：电子系统开发的绿色革命」为主题的东西讲座研讨会，此次会议深入探讨了数位电源技术在推动电子系统开发的双轴转型中的关键作用，即实现更高的能源效率和更快的产品创新 |
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电动压缩机设计核心-SiC模组 (2024.09.29)
电动压缩机是电动汽车热管理的核心零组件，对於电驱动系统的温度控制具有重要作用，对电池的使用寿命、充电速度和续航里程均至关重要，本文主要讨论SiC MOSFET 离散元件方案 |
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用於快速评估三相马达驱动设计的灵活平台 (2024.09.29)
为了实现环境目标并减少排放，世界各国政府纷纷推出立法，要求提高电动马达的效率。 |
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ROHM推出4款工业电源适用SOP封装通用AC-DC控制器IC (2024.09.10)
ROHM推出PWM控制方式FET外接型通用控制器IC，非常适用於工业设备的AC-DC电源。目前已有支援多种功率电晶体共4款新产品投入量产，包括低耐压MOSFET驱动用「BD28C55FJ-LB」、中高耐压MOSFET驱动用「BD28C54FJ-LB」、IGBT驱动用「BD28C57LFJ-LB」以及SiC MOSFET驱动用「BD28C57HFJ-LB」 |
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意法半导体新车规单晶片同步降压转换器让应用设计更弹性化 (2024.08.29)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）推出新系列汽车级降压同步DC/DC转换器，新产品有助於节省电路板空间，简化车身电子、音讯系统和逆变器闸极驱动器等应用设计。A6983转换器系列包括六款低功耗、低杂讯非隔离型降压转换器和一款隔离型降压转换器A6983I |
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ROHM第4代SiC MOSFET裸晶片导入吉利电动车三款主力车型 (2024.08.29)
半导体制造商ROHM内建第4代SiC MOSFET裸晶片的功率模组，成功导入至浙江吉利控股集团（以下称吉利）的电动车（以下称EV）品牌「ZEEKR」的「X」、「009」、「001」三款车型的主机逆变器 |
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ROHM推出车电Nch MOSFET 适用於车门、座椅等多种马达及LED头灯应用 (2024.08.28)
在汽车领域，随着安全性和便利性的提高，电子产品逐渐增加，电子元件数量也与日俱增，而为了提高燃油效率和降低电耗，更是要求需降低上述产品的功耗。其中针对车电开关应用不可或缺的MOSFET市场，对导通电阻低、损耗低且发热量低的产品需求逐渐高涨 |
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为绿氢制造确保高效率且稳定的直流电流 (2024.08.27)
本文探讨绿氢的原理，并且展示如何运用功率组件，将环保能源的输入转换为具有产生绿氢所需特性的稳定电力输出。 |
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英飞凌CoolSiC MOSFET 400 V重新定义 AI 伺服器电源功效 (2024.06.26)
随着人工智慧（AI）处理器对功率的要求日益提高，伺服器电源（PSU）必须在不超出伺服器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，因为高阶 GPU 的能源需求激增。至2030 年，每颗高阶 GPU 晶片的能耗可能达到 2千瓦或以上 |
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意法半导体於义大利打造世界首座一站式碳化矽产业园区 (2024.06.24)
意法半导体（STMicroelectronics，ST），将於义大利卡塔尼亚打造一座结合8寸碳化矽（SiC）功率元件和模组制造、封装、测试於一体的综合性大型制造基地。透过整合同一地点现有之碳化矽基板制造厂，意法半导体将打造一个碳化矽产业园区，达成在同一个园区内全面垂直整合制造及量产碳化矽之愿景 |
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Littelfuse新款低侧栅极驱动器适用於SiC MOSFET和高功率IGBT (2024.06.13)
Littelfuse公司推出低侧SiC MOSFET和IGBT闸极驱动器IX4352NE，这款创新的驱动器专门设计用於驱动工业应用中的碳化矽（SiC）MOSFET和高功率绝缘栅双极电晶体（IGBT）。IX4352NE的主要优势在於其独立的9A拉/灌电流输出，支援量身定制的导通和关断时序，同时将开关损耗降至最低 |
