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讨论新闻主题﹕大联大品隹集团推出英飞凌1200 V碳化矽MOSFET技术

新闻 提要
致力於亚太区市场的领先零组件通路商大联大控股今日宣布，旗下品隹集团将推出英飞凌（Infineon）1200 V碳化矽MOSFET技术。 此次推出的新技术可提升产品设计的功率密度和效能表现，并有助电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热需求，进一步提升可靠性和降低系统成本。 根据多年於碳化矽半导体的开发经验，全新MOSFET采用先进的沟槽半导体制程，为英飞凌於CoolSiC系列产品上的最新突破。首款分离式1200 V CoolSiC MOSFET的导通电阻（RDS(ON)）额定值为45 mΩ。此产品将采用3接脚和4接脚TO-247封装，4接脚封装上有个额外的源极连接端子，作为门极驱动的讯号接脚，以消除源极电感所导致的降压影响，也有助於降低开关损耗，特别是在更高的开关频率时

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