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晶体硅太阳能电池选择性发射极和自掺杂接触-晶体硅太阳能电池选择性发射极和自掺杂接触 (2011.07.15)
晶体硅太阳能电池选择性发射极和自掺杂接触
提升太阳能效率 Selective Emitter技术可望量产化 (2010.04.29)
太阳能电池的晶圆材料结晶硅（c-Si）由多晶硅(Polysilicon)制成，多晶硅自2009年后市场价格持续滑落，2010年下看每公斤60~80美元，原本占有太阳能电池市场九成的硅晶产品也因此重新赢得厂商的信赖，再度重视高效率硅晶技术，Selective Emitter技术可望成为设备大厂第一个量产化标的
可发光矽半导体材料发展动向 (2006.11.09)
基于未来光学元件与积体电路整合的发展，矽（Silicon）半导体材料如果可以发光，主动元件之间的信号直接利用光线传输，届时，包含电脑在内，电子产品的体积、功能、演算速度、电磁波干扰、发热等问题可望被彻底改善
以0.18μm CMOS制程制作之40 GHz 除频器 (2005.05.05)
本文用以分析预测再生除频器（regenerative divider）所需的相位移及适当操作的选择。另外，本文介绍一除频器利用共振的观念，透过实作在晶片上的螺旋电感去除装置上的电容效应
SiGe HBT技术发展概述 (2001.06.01)
SiGe技术经过这十几年的研究发展，已渐渐开花结果。


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