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中美矽晶布局化合物半导体 成功开发各尺寸晶圆产品 (2021.12.22)
中美矽晶集团积极发展化合物半导体，如碳化矽(SiC)、氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)、钽酸锂及铌酸锂等。在本届的国际光电大展中，中美矽晶集团携手旗下半导体子公司环球晶圆及转投资事业 |
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MIC：2017台湾半导体产值预估将达2.4兆元 (2017.06.01)
MIC：2017台湾半导体产值预估将达2.4兆元
以成长幅度来说，仍略低于全球；观测全球半导体市况，虽然终端PC市场持续衰退、智慧型手机规模仅小幅度成长，但随着工业应用与车用半导体需求增加及整体记忆体价格上扬的带动，预估2017年全球半导体市场成长幅度将达到7.1％ |
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KLA-Tencor为先进积体电路元件技术推出全新量测系统 (2017.03.20)
KLA-Tencor公司针对次十奈米（sub-10nm）积体电路（IC）元件的开发和量产推出四款创新的量?系统：Archer 600叠对量测系统，WaferSight PWG2图案化晶圆几何形状测量系统，SpectraShape10K光学线宽（CD）量测系统和SensArray HighTemp 4mm即时温度测量系统 |
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英飞凌专为50Hz至20kHz的低切换频率设计全新等级 IGBT (2015.01.30)
英飞凌科技（Infineon）推出全新等级的低饱和电压 VCE(sat) IGBT，专为 50Hz 至 20 kHz 的低切换频率所设计，适用于不断电系统（UPS）以及太阳光电与焊接系统中的变频器等应用 |
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行动运算装置电源设计实务 (2013.05.29)
行动运算装置电源设计挑战日益严峻。今年国际消费性电子展(CES)和世界行动通讯大会(MWC)中，各大品牌厂无不将变形笔电、平板装置与平板手机(Phablet)等新型态行动运算装置视为火力展示重点 |
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英飞凌于 PCIM 展展出 650V TRENCHSTOP 5 (2013.05.17)
英飞凌科技股份有限公司于德国纽伦堡举行的 PCIM Europe 2013 展会期间展出 650V TRENCHSTOP 5。自 2012 年秋季推出这款新一代薄晶圆绝缘闸双极性晶体管 (IGBT) 后，TRENCHSTOP 5 就获得了广大的市场瞩目，被视为改变游戏规则的技术 |
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英飞凌荣获奥地利国家创新奖 (2013.04.09)
英飞凌科技荣获 2013 奥地利国家创新奖 (National Innovation Prize)，该公司因其在奥地利菲拉赫(Villach) 厂所开发的 12吋薄晶圆技术而获奖。英飞凌(奥地利)董事会成员，负责技术及创新的 Sabine Herlitschka 博士代表英飞凌从奥地利经济部长 Reinhold Mitterlehner 手上接下这座奖项 |
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英飞凌 12吋薄晶圆制造通过质量认证开始出货 (2013.02.26)
英飞凌科技股份有限公司在 12 吋薄晶圆功率半导体的制程上取得重大突破，公司的 CoolMOS系列产品在二月份取得首笔客户订单，由位于奥地利维拉赫 (Villach) 厂房的 12 吋生产线负责生产 |
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IR扩充600V沟道超高速IGBT阵容 (2013.02.21)
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩充600V绝缘闸双极晶体管 (IGBT) 阵容，推出坚固可靠的IRGP4640D、IRGP4650D及IRGP4660D，藉以优化不间断电源 (UPS)、太阳能、感应加热、工业用马达和焊接应用 |
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IR Gen8 1200V IGBT技术平台提升效率及耐用性 (2012.11.21)
国际整流器公司(IR)日前推出新一代绝缘闸双极晶体管 (IGBT) 技术平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技术平台利用IR新一代沟道闸极场截止技术。
Gen8设计让Vce(on) 能够减少功耗，增加功率密度，以及提供耐用性 |
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英飞凌再度荣膺功率半导体市场宝座 (2012.10.19)
英飞凌科技股份有限公司 (FSE：IFX/OTCQX：IFNNY) 连续九年成为功率半导体市场的领导者。根据市调机构 IMS Research（属IHS公司）最新报告指出，2011 年全球功率半导体市场总值达 176 亿美元，而英飞凌的市占率达 11.9% |
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[分析]Intel投资触控商背后的算盘 (2012.10.03)
在全球无数的科技公司当中，为何敦泰科技（FocalTech）能获得英特尔投资的青睐，分得其4000万美元投资基金的一杯羹呢？
从敦泰发布的营运数据来看，该公司在触控领域已有累积逾亿颗IC量产出货的实绩，出货对象主要是中国的触控手机，在触控市场的技术实力值得肯定 |
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IR宣布扩充其600 V沟道绝缘栅双极晶体管阵营 (2011.11.18)
国际整流器公司（IR）日前宣布扩充其600 V沟道绝缘栅双极晶体管（IGBT）阵营，为不断电系统（UPS）、太阳能、工业用马达及焊接应用推出IRGPS4067DPbF和IRGP4066DPbF组件。
IRGPS4067DPbF和IRGP4066DPbF组件利用沟道纤薄晶圆技术，减低导通及开关损耗 |
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产能过剩严重 太阳能设备营收持续向下 (2011.10.19)
全球太阳能设备支出(含硅锭-模块以及薄膜面板)今年达到历史高峰131亿美金后，预计将在2012年有超过45%的跌幅。迫使太阳能设备供货商不得不重新调整产品规划，以便能在2012以后设备支出增加时跟上脚步 |
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英飞凌生产出首款300毫米薄晶圆之功率半导体芯片 (2011.10.14)
英飞凌（Infineon）近日发表，已于奥地利菲拉赫（Villach）据点生产出首款300毫米薄晶圆之功率半导体芯片（first silicon），成为全球首家进一步成功采用此技术的公司。采用300毫米薄晶圆生产之芯片的功能特性 |
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QMEMS打造高性能Photo AT组件 (2011.10.13)
在石英晶体应用的市场上，为了达到小型化、高精确度、高可靠性等进阶的特性需求，传统的机械加工制程已面临技术瓶颈，需要导入新一代的制程技术。采用半导体光微影制程（Photolithography process）的QMEMS技术，正是满足这些需求的解决方案 |
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巨景利用微型力特性 推出整合七合一芯片 (2011.10.12)
巨景科技（ChipSiP）日前宣布，运用SiP核心微型力特点，透过Logic、RF组件以及Turnkey整合设计，打造链接云端生活所须的轻薄可移植性及随时连网的智能装置。
巨景科技董事长赖淑枫指出，今年10月将其核心价值力提升，推出整合七合一芯片、9.85mm的平板解决方案以及90g的WiDi（无线影音传输） |
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IR为感应加热应用推出全新超高速1200 V IGBT (2011.09.28)
国际整流器公司 (IR) 于昨（27）日，发表全新超高速沟道绝缘闸双极晶体管 (IGBTs)，从而优化感应加热和共振开关应用，例如焊接与高功率整流。
该公司表示，全新1200 V IGBT组件利用IR的纤薄晶圆沟道技术，提供关键的性能效益，包括用来降低功率耗散和提升功率密度的低VCE (on) 及超高速开关 |
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IR推出全新绝缘闸双极晶体管系列 (2011.09.07)
IR（International Rectifier）近日推出，为感应加热、不断电系统（UPS）太阳能和焊接应用而设的可靠及高效1200V绝缘闸双极晶体管（IGBTs）系列。
全新1200V IGBT系列利用纤薄晶圆场终止沟道技术，显著降低开关及传导损耗，从而为较高频率提升功率密度和效率 |
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台湾太阳能产业如何发光发热？ (2011.08.09)
太阳能电池晶片是整个产业链最高获利的一段，但受下游客户与需求因素左右。有鉴于此，台湾厂商亦开始思考向上下游垂直整合。但太阳能产业不比3C产业，产品讲求的是经久耐用而不是华丽炫目，因此如何让产品具安全与可靠度，成为产业进一步发展的瓶颈 |
