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宜特上半年营收新台币21.22亿 积极布局AI验证分析领域 (2024.08.05)
宜特2024年上半年，在AI人工智慧、先进封装、先进制程的布局有成，且子公司宜锦营运渐入隹绩，使得整体营运取得亮眼表现。上半年合并营收21.22亿元，突破二十亿元新台币大关，创历史新高；上半年归属於母公司净利达3.06亿元，税後每股盈馀达4.13元，年增达24.02%
使用SIL 2元件设计功能安全的SIL 3类比输出模组 (2024.05.27)
本文概述一种能够克服挑战以成功实现SIL 3，并加速产品上市的解决方案。
Microchip耐辐射 DC-DC 50W电源转换器为新太空应用设计 (2024.05.08)
随着私人企业和公共实体都在低地球轨道（LEO）范围探索，从 5G 通讯和立方体卫星到物联网等应用，不断增加市场对可靠、经济高效且可配置的标准航太等级产品的需求
西门子收购Insight EDA 扩展Calibre可靠性验证系列 (2023.11.16)
西门子数位化工业软体完成对 Insight EDA 公司的收购，後者能够为积体电路（IC）设计团队，提供突破性的电路可靠性解决方案。 Insight EDA 成立於 2008 年，致力於为客户提供类比／混合讯号和电晶体级客制化数位设计流程
半导体长期需求大增 测试设备推陈出新 (2022.08.24)
正值全球半导体市场短缺之际，却也正是半导体产业的全新机会点。 随着新应用持续出现，预料半导体的市场需求也将居高不下。 全球测试大厂也持续针对半导体测试，推出了相应的解决方案
义大利卡塔尼亚大学与ST签署功率电子培训与研究合作协议 (2021.11.17)
卡塔尼亚大学与意法半导体（STMicroelectronics）宣布签署一份功率电子教学研究框架协定，以促进学生的学术和职业培训，鼓励技术创新研究。 功率电子技术是永续能源未来的关键
Ansys与台积电合作 防止3D-IC电子系统过热 (2021.10.28)
台积电（TSMC）和Ansys合作，针对采用TSMC 3DFabric建构的多晶片设计打造全面的热分析解决方案。该解决方案应用于模拟包含多个晶片的3D和2.5D电子系统的温度，缜密的热分析可防止这些系统因过热而故障，并提高其使用寿命的可靠性
Ansys多重物理场签核解决方案获台积电所有先进制程技术认证 (2020.05.07)
Ansys新一代系统单晶片（system-on-chip；SoC）电源杂讯签核（signoff）平台成功获得台积电（TSMC）所有先进制程技术的认证，这将协助共同客户验证全球最大晶片的电源需求及可靠性，并将应用於人工智慧（AI）、机器学习、5G行动网路和高效能运算（high-performance computing；HPC）应用等领域
以数位模拟加速创新 ANSYS台湾技术大会聚焦Digital Twin与5G (2019.10.08)
全球领先的系统多物理模拟公司安矽思科技（ANSYS），今日於新竹举行台湾用户技术大会（ANSYS Innovation Conference），探讨如何透过先进的模拟工具，让更多的创新技术与应用得以问世
台湾半导体未来挑战！ ANSYS：3D IC热能和电源完整性问题 (2019.08.29)
美国多物理模拟技术商ANSYS展??未来技术的创新发展，昨（28）日於新竹举行半导体解决方案年度研讨会，针对晶圆制造与多物理模拟、封装与电源一致性等与晶片设计、制造相关技术挑战跟最先进解决方案
◤储能材料系列7◢电池管理信息监控与可靠性分析 (2012.08.23)
课程介绍 锂电池由于能量密度及功率密度高，是目前应用范围最广泛的储能组件，目前3C电子产品几乎已全面使用锂电池，其他如电动车辆及大型储能组件也逐步导入使用中
2014年 医疗电子产业即将面临新挑战 (2012.08.08)
2014 年欧盟将把医疗电子产业亦纳入有害物质管制范围，这意味着目前许多正在开发的医疗电子产品在2014 年投入市场时必须符合无铅制程的要求。因此，医疗电子产品制造商应即刻着手规划无铅制程转换的可靠性验证计划并实施，如此才能于 2014 年顺利进入欧洲市场，特别是医疗电子产品必须考虑到高可靠性的要求
温度影响 GaN 发光二极管体的可靠性分析-温度影响 GaN 发光二极管体的可靠性分析 (2012.04.24)
温度影响 GaN 发光二极管体的可靠性分析
配电系统的可靠性分析，电动车整合测试系统发展到配电系统-配电系统的可靠性分析，电动车整合测试系统发展到配电系统 (2011.11.07)
配电系统的可靠性分析，电动车整合测试系统发展到配电系统
车辆安全应用的 DSRC 无线通信可靠性分析-车辆安全应用的 DSRC 无线通信可靠性分析 (2011.10.19)
车辆安全应用的 DSRC 无线通信可靠性分析
挑战深次微米时代之ASIC/SoC设计 (2003.10.05)
在IC制程迈向深次微米与奈米等级发展的趋势下，SoC与ASIC之设计也开始面临许多挑战；本文将探讨深次微米/奈米时代晶片设计必须克服的种种瓶颈，以及目前IC服务业者可在此一领域之中扮演的角色


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