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2017 R&S年度科技论坛圆满落幕 (2017.11.21)
罗德史瓦兹 (Rohde & Schwarz, R&S) 於11月15、16两日分别在台北大直典华及新竹国宾饭店举办年度科技论坛「2017 R&S Technology Week in Taiwan」。
本次的科技论坛以主题进行分场，共分为5G 暨 IoT、Sub-6GHz Massive MIMO、mm-Wave 暨 OTA 及车用暨影音等三大主题区 |
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2017 R＆S年度科技论坛 介绍最新技术暨量测应用 (2017.11.01)
台湾罗德史瓦兹 (Rohde & Schwarz Taiwan Ltd.) 在2017年度科技论坛中将以市场应用面为主轴及主题分场方式针对5G行动通讯、IoT、毫米波天线阵列技术、车载通讯标准 (V2X) 、汽车雷达技术、高速影音传输及数位电视标准等炙手可热的议题进行深度讨论 |
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安立知将举行Millimeter Wave/RF高频技术应用研讨会 (2011.09.22)
安立知将于2011年9月22日假国研院奈米组件实验室举行Millimeter Wave/RF高频技术应用研讨会，特邀请Anritsu市场技术经理Barry Smith及资深产品经理Steve Reyes，前来分享毫微米波组件微小化设计技术原理，以及高频微波组件量测应用 |
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「Millimeter Wave/RF高频技术应用研讨会」即将登场 (2011.09.04)
安立知（Anritsu）于日前宣布，将于2011年9月22日假国研院奈米组件实验室举行Millimeter Wave/RF高频技术应用研讨会，当日将由Anritsu市场技术经理Barry Smith及资深产品经理Steve Reyes，前来分享毫微米波组件微小化设计技术原理，以及高频微波组件量测应用 |
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台积电一厂除役设备转卖大陆行政院疑虑 (2002.12.23)
据经济日报报导，台积电于2002年四月将台积电一厂已除役的6吋晶圆设备，售予亚太科技公司，但亚太又将购自台积电的二手设备转卖给大陆中纬积体电路公司，此举已引起行政院陆委会的疑虑，并为仍在审查中的台积电八吋晶圆厂登陆案，又添一抹阴影 |
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奈米神话不是梦？ (2002.07.05)
目前的高科技产业不但要面临同业竞争，而且在不久的未来，这些不可能的东西都有可能像费曼说的毫微米技术一样，有变为实际成品的一天，显示了IC公司未来也将有外患问题 |
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奈米实验室5日动土 (2002.07.03)
位于交通大学的行政院国科会国家毫微米组件实验室，为配合国家科技发展，除了更名为国家奈米组件实验室外，并决定于本月5日正式动土，预计2004年完工。趋时研发环境将获得大幅提升，许多国内研究单位之资源也能有效整合，使研究方针及成果更为茁壮 |
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Nassda发表HSIM 2.0版 (2002.03.08)
茂积代理的Nassda Corp.8日发表HSIM（TM）2.0版，此为最新版之全芯片电路验证与分析软件。当HSIM对模拟电路、混合信号电路、内存电路、及系统芯片（System-on-Chip，SoC）电路作分析时，分析过程一并考虑毫微米电气和寄生效应 |
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施敏呼吁开放八吋厂登陆 (2002.03.07)
国科会昨天到立法院科技及信息委员会进行施政报告并备询，全程长达六个半小时，施敏以国科会毫微米组件实验室主任身分出席这项会议时，做了以上表示。但他强调，这是个人立场，不代表国科会意见 |
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AMD推出开关速度极快的CMOS晶体管 (2001.12.05)
美商超威半导体(AMD)五日宣布已成功开发一款开关速度迄今最快的CMOS晶体管。这款晶体管闸长15毫微米(nanometer)(即0.015微米)。AMD计划利用这一种晶体管开发新一代的微处理器 |
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利用选择性电化学接触置换法制作铜导线 (2001.10.05)
目前晶片制造商正着力于铜制程之模组技术及其制程整合以提升量产制程之良率。本文将探讨无电化学电镀提供选择性铜导线沉积方法，以克服高深宽比沟渠填充及化学机械研磨过研磨时所遭遇的铜导线浅碟化问题 |
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国家毫微米实验室发表面板系统技术 (2001.07.27)
国家毫微米实验室26日发表新制程技术─面板系统技术(system-on-panel)，可将驱动IC、内存等电路直接制作在显示器面板上，可望降低成本至少五成以上，预计六年至10年后量产，台湾是第一个成功完成这项新制程实验室研究的国家 |
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毫微米科技左右信息科技社会的未来 (2001.07.23)
日本经济新闻报导，毫微米科技能直接观察原子和分子，可望应用在信息科技、材料、环境、生物等领域，各国都相当关注这项技术的发展。美国去年元月宣布「国家毫微米科技策略」，2001年度对这项研究计划投注4.22亿美元 |
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应用材料推出业界第一套化学气相沉积TiSiN制程 (2001.03.28)
应用材料日前宣布推出业界第一套化学气相沉积TiSiN阻障层（barrier）制程，持续强化在铜制程技术的领导地位。运用应用材料新一代Endura Electra Cu整合式阻障层／种晶层设备平台，结合应用材料现有的自行离子化电浆（SIP：Self Ionized Plasma）物理气相沉积铜反应室，化学气相沉积TiSiN制程不仅支持200mm与300mm制程，并且针对下一代0 |
