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东芝推出新一代N-channel MOSFET 30V及60V系列 (2016.01.13)
东芝半导体封装技术再跃进,研发推出新一代N-channel MOSFET 30V及60V系列,皆以U-MOS IX-H沟槽式半导体制程为基础设计,此设计已被使用于降低导通电阻,在各种不同载量下带来最佳化效率;同时也可降低输出电容
美光将评估收购英飞凌内存事业 (2006.03.06)
全球第三大DRAM厂美光科技总裁爱波顿(Steve Appleton)指出,虽然至今仍没有任何人与美光接触,询问美光是否有意收购英飞凌内存事业,但是美光已做好准备,如果可能的话,将开始评估收购英飞凌内存事业
谈判破局 英飞凌决定退出茂德 (2002.12.10)
DRAM厂英飞凌(Infineon)昨天宣布,经过多次努力,与茂矽公司针对合资公司茂德的未来所作的协商宣告失败。由于无法找到英飞凌与茂矽满意解决方案,所以Infineon将根据台湾相关法令以及市场状况,处分其所拥有大约30%的茂德股权


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