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工研院电子所积极开发IGBT先进制程技术 (2001.02.13)
为了将双载子晶体管和金氧半晶体管相结合，以得到一个有绝缘闸输入并有低导通电阻的功率组件，而促成了绝缘闸双载子晶体管(IGBT)的研究发展。国内的工研院电子所目前也正积极研究此先进制程技术，并表示最快在3月份完成IGBT的验证工作，其规格则可做到电压600伏，电流30安培


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