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应用材料推出业界第一套化学气相沉积TiSiN制程 (2001.03.28)
应用材料日前宣布推出业界第一套化学气相沉积TiSiN阻障层（barrier）制程，持续强化在铜制程技术的领导地位。运用应用材料新一代Endura Electra Cu整合式阻障层／种晶层设备平台，结合应用材料现有的自行离子化电浆（SIP：Self Ionized Plasma）物理气相沉积铜反应室，化学气相沉积TiSiN制程不仅支持200mm与300mm制程，并且针对下一代0


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